【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及靶材制备，具体涉及一种硅钼合金管状靶材及其制备方法与应用。
技术介绍
1、硅钼靶材是真空溅镀过程中较为常用的一种靶材。由于硅钼靶材溅射形成的氧化物栅和多晶硅接触性能稳定，这种硅化物能经受高温处理而不会分解成氧化物，具有优良的抗氧化性能与抗化学腐蚀性能，因此，硅钼靶材被广泛应用于电子栅门材料以及电子薄膜领域。
2、近年来，行业对高纯度硅钼靶材的需求量大幅增长。但是，现有技术中大多生产的硅钼靶材密度低，无法满足高端电子行业对于靶材质量的要求，仅仅部分用于低端产品中。硅钼材料常见的制备方法有机械合金化法、无压烧结法、反应烧结法、热压烧结法等。其中，无压烧结硅钼材料，其最大致密度只有理论密度的90％，反应烧结在元素粉末之间发生了热化学反应，反应进行效果取决于开始和最终的化学成分、反应压制块的显微组织、反应过程气氛以及热边界条件等，且由于膨胀以及颗粒表面氧化膜的存在，反应烧结不能保证非常高的致密度。压力烧结可显著提高致密化过程，获得近全致密材料。
3、cn 104513953a公开了一种钼硅靶材的制作方法，包...
【技术保护点】
1.一种硅钼合金管状靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述硅粉的粒度为5-8μm；
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述粘结剂包括环氧树脂、丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂中的任意一种或至少两种的组合；
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述湿法球磨混合所用球磨介质包括无水乙醇；
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述混合料在冷等静压处理之前进行干燥；
<...【技术特征摘要】
1.一种硅钼合金管状靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述硅粉的粒度为5-8μm；
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述粘结剂包括环氧树脂、丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂中的任意一种或至少两种的组合；
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述湿法球磨混合所用球磨介质包括无水乙醇；
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述混合料在冷等静压处理之前进行干燥；
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【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，李爽，杨慧珍，吴东青，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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