保压老化测试系统以及测试方法技术方案

本发明专利技术涉及晶圆干燥技术领域，公开保压老化测试系统以及测试方法。系统包括干燥腔室、设于干燥腔室外具有第一检测空间的第一密封结构、第一气源、气体检漏组件、第二气源、第三气源以及加热结构、第一温度检测结构、第一压力检测结构和第二压力检测结构；第一气源与干燥腔室及第一密封结构相连接，以通入第一测试气体；气体检漏组件检测干燥腔室和/或第一检测空间内的目标气体含量；第二气源和第三气源与干燥腔室相连接，向干燥腔室通入第二测试气体或第三测试气体，并在干燥腔室内壁面形成致密保护层。保压老化测试系统能够完成对超临界流体干燥腔室的气密性测试、保压测试和老化工艺处理，保证无金属析出和设备安全性，提高干燥工艺的洁净度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶圆干燥，具体涉及保压老化测试系统以及测试方法。

技术介绍

1、超临界二氧化碳干燥是半导体制造工艺到达7nm以下技术节点后，解决晶圆表面超高深宽比微纳结构无损干燥的主流技术。超临界二氧化碳干燥的实现需要干燥系统具有高于二氧化碳临界点以上的操作参数(具体为临界温度31.2℃，临界压力7.38mpa)。通常需要获得二氧化碳与异丙醇混合物的超临界态，这要求干燥系统的工艺压力达到16mpa，工艺温度达到90℃，并且整个干燥系统包括工艺管路及干燥腔室等的金属离子析出也有严格控制指标(具体为<1e10atoms/cm2)，以上工艺特点对整个干燥系统生产制造、装配环节以及使用过程的保压和金属析出率具有极高的要求。

2、相关技术中用于半导体晶圆级的超临界二氧化碳干燥装置，一般是在设计过程中预先确定管路及阀件的选择，包括材料选择和表面处理工艺等，以初步确保密封性和洁净度；以及在制造加工过程中，通过分段气密性检测的方式进一步确保整体保压密封效果。但是由于干燥介质二氧化碳在高温高压下渗透性会升高以及金属溶解析出极易发生，上述设计过程以及制造过程中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种保压老化测试系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的保压老化测试系统，其特征在于，所述第一气源为氦气气源，所述第二气源为氮气气源，所述第三气源为二氧化碳气源。

3.根据权利要求2所述的保压老化测试系统，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的保压老化测试系统，其特征在于，所述气液输送管路上设置有第一节流组件和过滤器，所述第一节流组件适于调节所述气液输送管路内的气体流量，所述过滤器适于过滤通过所述气液输送管路的气体中的杂质。

5.根据权利要求4所述的保压老化测试系统，其特征在于，还包括：第二密封结构，罩设在所述气液输送...

【技术特征摘要】

1.一种保压老化测试系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的保压老化测试系统，其特征在于，所述第一气源为氦气气源，所述第二气源为氮气气源，所述第三气源为二氧化碳气源。

3.根据权利要求2所述的保压老化测试系统，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的保压老化测试系统，其特征在于，所述气液输送管路上设置有第一节流组件和过滤器，所述第一节流组件适于调节所述气液输送管路内的气体流量，所述过滤器适于过滤通过所述气液输送管路的气体中的杂质。

5.根据权利要求4所述的保压老化测试系统，其特征在于，还包括：第二密封结构，罩设在所述气液输送管路上，以在所述气液输送管路之外形成第二检测空间；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志曼，张康，李婷，刘福强，刘欢，董建强，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：