一种防止切割导致膜层peeling延伸的封装结构制造技术

本发明专利技术涉及封装结构相关领域，且公开了一种防止切割导致膜层peeling延伸的封装结构，包括位于底部的基板与CMOS电路，所述底部的基板与CMOS电路上方设置有底层阳极膜层，且阳极膜层上方设置有阳极PDL、OLED发光器件、第一圈环状dam有机封装和第二圈环状dam有机封装，所述阳极PDL和OLED发光器件上还设有阴极，所述阳极膜层上还依次设有整面封装层、下一层封装、OC平坦层和CF膜层；本发明专利技术通过两圈dam有机封装环状与结构有机封装层增加了膜层之间的黏附力，使得无机膜层的peeling位置被抑制在该环状结构处，从而保护OLED器件边缘不受水汽的入侵，提升了产品的可能性与使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于封装结构相关领域，具体为一种防止切割导致膜层peeling延伸的封装结构。

技术介绍

1、现有硅基micro-oled显示器在模组进行切割时，因为封装膜层为整面镀膜，且均为无机膜层，整体膜层应力较大，受到切割影响，产品切割后边缘的封装膜层会出现崩裂导致剥离(以下简称peeling)；发生peeling后产品在后续的质检过程中会出现边缘水汽入侵的现象，导致产品可靠性异常，使用寿命降低。

2、因此，针对以上现状，迫切需要提供一种防止切割导致膜层peeling延伸的封装结构，以克服当前实际应用中的不足。

技术实现思路

1、针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本专利技术提供一种防止切割导致膜层peeling延伸的封装结构，有效解决了上述
技术介绍
中的问题。

2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种防止切割导致膜层peeling延伸的封装结构，包括位于底部的基板与cmos电路，所述底部的基板与cmos电路上方设置有底层阳极膜层，且阳极膜层上方设置有阳极pdl、oled发光本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种防止切割导致膜层peeling延伸的封装结构，包括位于底部的基板与CMOS电路，其特征在于，所述底部的基板与CMOS电路上方设置有底层阳极膜层，且阳极膜层上方设置有阳极PDL、OLED发光器件、第一圈环状dam有机封装和第二圈环状dam有机封装，所述阳极PDL和OLED发光器件上还设有阴极，所述阳极膜层上还依次设有整面封装层、下一层封装、OC平坦层和CF膜层。

2.根据权利要求1所述的一种防止切割导致膜层peeling延伸的封装结构，其特征在于，所述基板与CMOS电路的厚度为0.4-1mm。

3.根据权利要求1所述的一种防止切割导致膜层peeling延伸的...

【技术特征摘要】

1.一种防止切割导致膜层peeling延伸的封装结构，包括位于底部的基板与cmos电路，其特征在于，所述底部的基板与cmos电路上方设置有底层阳极膜层，且阳极膜层上方设置有阳极pdl、oled发光器件、第一圈环状dam有机封装和第二圈环状dam有机封装，所述阳极pdl和oled发光器件上还设有阴极，所述阳极膜层上还依次设有整面封装层、下一层封装、oc平坦层和cf膜层。

2.根据权利要求1所述的一种防止切割导致膜层peeling延伸的封装结构，其特征在于，所述基板与cmos电路的厚度为0.4-1mm。

3.根据权利要求1所述的一种防止切割导致膜层peeling延伸的封装结构，其特征在于，所述阳极膜层的厚度为50-200nm；

4.根据权利要求1所述的一种防止切割导致膜层peeling延伸的封装结构，其特征在于，所述oled发光器件的厚度为100-300nm。

5.根据权利要求1所述的一种防止切割导致膜层pee...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘一博，吴迪，李晓龙，王健波，李雪红，林健雄，李阳阳，张宇航，
申请(专利权)人：湖畔光芯半导体江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：