【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种微晶玻璃的制造方法，尤其是涉及一种具有黑化部分和透明部分的微晶玻璃的制造方法。
技术介绍
1、近年来，随着消费电子产品的不断兴起和发展，玻璃作为一种透明且性能良好的材料，大量应用于电子设备中。电子设备由于其内部具有许多精密的电子元器件，因此需要设置盖板或者外壳对内部的电子元器件加以保护。随着市场需求的多样化，保护盖板玻璃的使用场景越来越复杂，起到的作用也不再仅仅是作为内部电子器件的保护，有时也需要兼具其他功能。例如在智能手表的生命体征监测上，需要玻璃材料局部透光，但是在其他地方又需要遮光以此避免杂光的干扰，因此需要玻璃材料同时具有黑色以及透明两个部分，这就对玻璃制造工艺技术提出了新的挑战。现有技术中，可以采用透明和黑色两种不同材料通过嵌入式设计的方式制造上述盖板材料，但由于两种材料的强度不同，膨胀系数差异大，且需要加工通孔，玻璃内壁存在微裂纹，导致盖板材料的强度降低，对于较小的孔或异型图形加工困难，制作成本高。
技术实现思路
1、基于以上原因，本专利技术所要解决的技术问题是提供一种制造具有黑化部分和透明部分的微晶玻璃的方法，所述微晶玻璃适于化学强化制成微晶玻璃制品。
2、本专利技术解决技术问题所采用的解决方案是：
3、(1)微晶玻璃的制造方法，所述方法包括以下步骤：形成基质玻璃，将基质玻璃通过晶化工艺形成微晶玻璃，所述晶化工艺包括对基质玻璃进行掩膜曝光处理，然后再晶化热处理。
4、(2)根据(1)所述的微晶玻璃的制造方法，所述微
5、(3)根据(1)或(2)所述的微晶玻璃的制造方法，所述掩膜曝光处理包括将基质玻璃的特定位置或区域进行紫外曝光，紫外光波长优选为313nm，曝光时间优选为5～60分钟。
6、(4)根据(1)～(3)所述的微晶玻璃的制造方法，所述晶化热处理采用2个阶段进行，所述2个阶段晶化热处理包括在第1温度下进行成核工艺的处理，然后在比成核工艺温度高的第2温度下进行晶体生长工艺的处理，优选第1温度为490℃～520℃，优选第1温度处理时间为1～4小时，优选第2温度为540℃～620℃，优选第2温度处理时间为1～8小时。
7、(5)根据(1)～(4)任一所述的微晶玻璃的制造方法，0.2～1.5mm厚度的微晶玻璃的透明部分在400～800nm波段范围的平均透过率t400-800nm为85.0％以上，优选为88.0％以上，更优选为90.0％以上，进一步优选为91.0％以上，更进一步优选为91.5～95.0％；和/或0.2～1.5mm厚度的微晶玻璃的黑化部分在400～800nm波段范围的平均透过率t400-800nm为5.0％以下，优选为3.0％以下，更优选为1.5％以下，进一步优选为1.2％以下，更进一步优选为0.5％以下；和/或0.2～1.5mm厚度的微晶玻璃的黑化部分在870nm处的透过率t870nm为15.0％以下，优选为0.1～12.5％，更优选为0.1～10％，进一步优选为0.1～8.0％，更进一步优选为0.1～5.0％；和/或0.2～1.5mm厚度的微晶玻璃的黑化部分在940nm处的透过率t940nm为50.0％以下，优选为0.1～35.0％，更优选为0.3～20.0％，进一步优选为0.3～15.0％，更进一步优选为0.3～10.0％。
8、(6)根据(1)～(5)任一所述的微晶玻璃的制造方法，所述微晶玻璃的黑化部分含有晶相，微晶玻璃的透明部分不含有晶相。
9、(7)根据(1)～(6)任一所述的微晶玻璃的制造方法，所述微晶玻璃的黑化部分含有偏硅酸锂晶相，在微晶玻璃的黑化部分中，优选偏硅酸锂晶相的重量百分比为5～50％，更优选偏硅酸锂晶相的重量百分比为5～40％，进一步优选偏硅酸锂晶相的重量百分比为10～30％。
10、(8)根据(1)～(7)任一所述的微晶玻璃的制造方法，所述微晶玻璃的组分按重量百分比表示，含有：sio2：65～78％，优选sio2：68～77％，更优选sio2：69.5～75.5％；r2o：2～12％，优选r2o：3～10％，更优选r2o：4～8％；li2o：5～15％，优选li2o：7～13％，更优选li2o：8.5～12％；al2o3：3～12％，优选al2o3：4～10％，更优选al2o3：5～9％；zro2：1.5～10％，优选zro2：2～8％，更优选zro2：3～6.5％；ceo2：0.01～0.6％，优选ceo2：0.07～0.4％，更优选ceo2：0.08～0.3％；ag2o：0.01～0.8％，优选ag2o：0.1～0.6％，更优选ag2o：0.2～0.5％；sb2o3：0～1％，优选sb2o3：0.01～0.7％，更优选sb2o3：0.07～0.5％；sno2：0～0.5％，优选sno2：0～0.3％，更优选sno2：0～0.2％；mo：0～5％，优选mo：0～3％，更优选mo：0～1％，进一步优选不含有mo；ln2o3：0～5％，优选ln2o3：0～3％，更优选ln2o3：0～1％，进一步优选不含有ln2o3；fe2o3：0～1％，优选fe2o3：0～0.5％，更优选fe2o3：0～0.2％，进一步优选不含有fe2o3，所述r2o为na2o、k2o中的一种或两种，mo为mgo、cao、sro、bao、zno中的一种或多种，ln2o3为la2o3、gd2o3、y2o3中的一种或多种。
11、(9)根据(1)～(8)任一所述的微晶玻璃的制造方法，所述微晶玻璃的组分按重量百分比表示，满足以下14种情形中的一种或多种：
12、1)sio2/li2o为5.5～10.0，优选sio2/li2o为6.0～9.0，更优选sio2/li2o为7.0～8.5；
13、2)(sb2o3+sno2)/ag2o为0.1～5.0，优选(sb2o3+sno2)/ag2o为0.5～3.5，更优选(sb2o3+sno2)/ag2o为1.0～2.6；
14、3)(k2o+na2o)/zro2为0.5～7.1，优选(k2o+na2o)/zro2为0.7～4.5，更优选(k2o+na2o)/zro2为0.8～2.5；
15、4)ag2o/ceo2为1.0～10.0，优选ag2o/ceo2为1.5～6.5，更优选ag2o/ceo2为2.0～4.5；
16、5)li2o/zro2为1.0～7.5，优选li2o/zro2为1.2～5.0，更优选li2o/zro2为1.4～4.3，进一步优选li2o/zro2为1.6～3.0；
17、6)(sio2+li2o)/zro2为8.0～55.0，优选(sio2+li2o)/zro2为10.0～37.0，更优选(sio2+li2o)/zro2为12.0～25.0，进一步优选(si本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.微晶玻璃的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：形成基质玻璃，将基质玻璃通过晶化工艺形成微晶玻璃，所述晶化工艺包括对基质玻璃进行掩膜曝光处理，然后再晶化热处理。
2.根据权利要求1所述的微晶玻璃的制造方法，其特征在于，所述微晶玻璃包含一个或多个黑化部分和一个或多个透明部分，所述微晶玻璃的组分中含有SiO2、R2O、Li2O、Al2O3、ZrO2、CeO2和Ag2O，所述R2O为Na2O、K2O中的一种或两种。
3.根据权利要求1所述的微晶玻璃的制造方法，其特征在于，所述掩膜曝光处理包括将基质玻璃的特定位置或区域进行紫外曝光，紫外光波长优选为313nm，曝光时间优选为5～60分钟。
4.根据权利要求1所述的微晶玻璃的制造方法，其特征在于，所述晶化热处理采用2个阶段进行，所述2个阶段晶化热处理包括在第1温度下进行成核工艺的处理，然后在比成核工艺温度高的第2温度下进行晶体生长工艺的处理，优选第1温度为490℃～520℃，优选第1温度处理时间为1～4小时，优选第2温度为540℃～620℃，优选第2温度处理时间为1～8小时。
5.根
6.根据权利要求1所述的微晶玻璃的制造方法，其特征在于，所述微晶玻璃的黑化部分含有晶相，微晶玻璃的透明部分不含有晶相。
7.根据权利要求1所述的微晶玻璃的制造方法，其特征在于，所述微晶玻璃的黑化部分含有偏硅酸锂晶相，在微晶玻璃的黑化部分中，优选偏硅酸锂晶相的重量百分比为5～50％，更优选偏硅酸锂晶相的重量百分比为5～40％，进一步优选偏硅酸锂晶相的重量百分比为10～30％。
8.根据权利要求1～7任一所述的微晶玻璃的制造方法，其特征在于，所述微晶玻璃的组分按重量百分比表示，含有：SiO2：65～78％，优选SiO2：68～77％，更优选SiO2：69.5～75.5％；R2O：2～12％，优选R2O：3～10％，更优选R2O：4～8％；Li2O：5～15％，优选Li2O：7～13％，更优选Li2O：8.5～12％；Al2O3：3～12％，优选Al2O3：4～10％，更优选Al2O3：5～9％；ZrO2：1.5～10％，优选ZrO2：2～8％，更优选ZrO2：3～6.5％；CeO2：0.01～0.6％，优选CeO2：0.07～0.4％，更优选CeO2：0.08～0.3％；Ag2O：0.01～0.8％，优选Ag2O：0.1～0.6％，更优选Ag2O：0.2～0.5％；Sb2O3：0～1％，优选Sb2O3：0.01～0.7％，更优选Sb2O3：0.07～0.5％；SnO2：0～0.5％，优选SnO2：0～0.3％，更优选SnO2：0～0.2％；MO：0～5％，优选MO：0～3％，更优选MO：0～1％，进一步优选不含有MO；Ln2O3：0～5％，优选Ln2O3：0～3％，更优选Ln2O3：0～1％，进一步优选不含有Ln2O3；Fe2O3：0～1％，优选Fe2O3：0～0.5％，更优选Fe2O3：0～0.2％，进一步优选不含有Fe2O3，所述R2O为Na2O、K2O中的一种或两种，MO为MgO、CaO、SrO、BaO、ZnO中的一种或多种，Ln2O3为La2O3、Gd2O3、Y2O3中的一种或多种。
9.根据权利要求1～8任一所述的微晶玻璃的制造方法，其特征在于，所述微晶玻璃的组分按重量百分比表示，满足以下14种情形中的一种或多种：
10.根据权利要求1所述的微晶玻璃的制造方法，其特征在于，所述微晶玻璃的透明部分的折射率nd为1.51～1.55，优选为1.52～1.54，更优选为1....
【技术特征摘要】
1.微晶玻璃的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：形成基质玻璃，将基质玻璃通过晶化工艺形成微晶玻璃，所述晶化工艺包括对基质玻璃进行掩膜曝光处理，然后再晶化热处理。
2.根据权利要求1所述的微晶玻璃的制造方法，其特征在于，所述微晶玻璃包含一个或多个黑化部分和一个或多个透明部分，所述微晶玻璃的组分中含有sio2、r2o、li2o、al2o3、zro2、ceo2和ag2o，所述r2o为na2o、k2o中的一种或两种。
3.根据权利要求1所述的微晶玻璃的制造方法，其特征在于，所述掩膜曝光处理包括将基质玻璃的特定位置或区域进行紫外曝光，紫外光波长优选为313nm，曝光时间优选为5～60分钟。
4.根据权利要求1所述的微晶玻璃的制造方法，其特征在于，所述晶化热处理采用2个阶段进行，所述2个阶段晶化热处理包括在第1温度下进行成核工艺的处理，然后在比成核工艺温度高的第2温度下进行晶体生长工艺的处理，优选第1温度为490℃～520℃，优选第1温度处理时间为1～4小时，优选第2温度为540℃～620℃，优选第2温度处理时间为1～8小时。
5.根据权利要求1所述的微晶玻璃的制造方法，其特征在于，0.2～1.5mm厚度的微晶玻璃的透明部分在400～800nm波段范围的平均透过率t400-800nm为85.0％以上，优选为88.0％以上，更优选为90.0％以上，进一步优选为91.0％以上，更进一步优选为91.5～95.0％；和/或0.2～1.5mm厚度的微晶玻璃的黑化部分在400～800nm波段范围的平均透过率t400-800nm为5.0％以下，优选为3.0％以下，更优选为1.5％以下，进一步优选为1.2％以下，更进一步优选为0.5％以下；和/或0.2～1.5mm厚度的微晶玻璃的黑化部分在870nm处的透过率t870nm为15.0％以下，优选为0.1～12.5％，更优选为0.1～10％，进一步优选为0.1～8.0％，更进一步优选为0.1～5.0％；和/或0.2～1.5mm厚度的微晶玻璃的黑化部分在940nm处的透过率t940nm为50.0％以下，优选为0.1～35.0％，更优选为0.3～20.0％，进一步优选为0.3～15.0％，更进一步优选为0.3～10.0％。
6.根据权利要求1所述的微晶玻璃的制造方法，其特征在于，所述微晶玻璃的黑化部分含有晶相，微晶玻璃的透明部分不含有晶相。
7.根据权利要求1所述的微晶玻璃的制造方法，其特征在于，所述微晶玻璃的黑化部分含有偏硅酸锂晶相，在微晶玻璃的黑化部分中，优选偏硅酸锂晶相的重量百分比为5～50％，更优选偏硅酸锂晶相的重量百分比为5～40％，进一步优选偏硅酸锂晶相的重量百分比为10～30％。
8.根据权利要求1～7任一所述的微晶玻璃的制造方法，其特征在于，所述微晶玻璃的组分按重量百分比表示，含有：sio2：65～78％，优选sio2：68～77％，更优选sio2：69.5～75.5％；r2o：2～12％，优选r2o：3～10％，更优选r2o：4～8％；li2o：5～15％，优选li2o：7～13％，更优选li2o：8.5～12％；al2o3：3～12％，优选al2o3：4～10％，更优选al2o3：5～9％；zro2：1.5～10％，优选zro2：2～8％，更优选zro2：3～6.5％；ceo2：0.01～0.6％，优选c...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡斌，原保平，于天来，蒋焘，仵文旭，
申请(专利权)人：成都光明光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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