功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法技术

本公开涉及功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法。功率半导体二极管包括：具有第一传导类型的漂移区域的半导体本体；第一负载端子，在半导体本体的第一侧处并耦合到第二传导类型的阳极区域，阳极区域布置在半导体本体中并耦合到漂移区域；第二负载端子，在半导体本体的第二侧处并耦合到掺杂区域的第一传导类型的阴极区域和第二传导类型的短路区域两者，掺杂区域布置在半导体本体中并耦合到漂移区域。二极管被配置为在第一和第二负载端子之间传导负载电流，其第一路径穿过阳极、漂移和阴极区域中的每一个，其第二路径穿过阳极、漂移和短路区域中的每一个。至少一个电阻元件在第二负载电流路径内布置在半导体本体外部，展现具有正温度系数的电阻。

【技术实现步骤摘要】

本说明书涉及功率半导体器件的实施例并且涉及生产功率半导体器件的方法的实施例。

技术介绍

1、现代器件在汽车、消费和工业应用中的许多功能，诸如转换电能和驱动电动机或电机，依赖于功率半导体器件。例如，仅举几例，绝缘栅双极晶体管(igbt)、金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)和二极管已被用于各种应用，包括但不限于电源和功率转换器中的开关。

2、功率半导体器件通常包括半导体本体，该半导体本体被配置为沿着器件的两个负载端子之间的负载电流路径传导正向负载电流。负载电流典型地借助于功率半导体器件的有源区域传导。有源区域典型地被边缘终止区域包围，该边缘终止区域由芯片的边缘终止。

3、在可控功率半导体器件(例如晶体管)的情况下，负载电流路径可以借助于绝缘的电极(通常被称为栅电极)来控制。例如，在(例如经由器件的控制端子从驱动器单元)接收到相应的控制信号时，控制电极可以将功率半导体器件设置在正向传导状态和阻断状态之一中。

4、此外，一些器件提供反向负载电流能力；即，半导体本体的有源区域被进一步配置为沿着器件的两个负载端子之间的反向本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率半导体二极管(1)，包括：

2.一种功率半导体二极管(1)，包括：

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体二极管(1)，其中，所述至少一个电阻元件(13)与所述功率半导体二极管(1)集成。

4.根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体二极管(1)，其中，所述至少一个电阻元件(13)耦合到所述短路区域(108)中的至少一个。

5.根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体二极管(1)，其中，所述至少一个电阻元件(13)被布置为与所述短路区域(108)中的至少一个接触。

6.根据前述权利要求1至4中的一项所述的功率半导体二...

【技术特征摘要】

1.一种功率半导体二极管(1)，包括：

2.一种功率半导体二极管(1)，包括：

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体二极管(1)，其中，所述至少一个电阻元件(13)与所述功率半导体二极管(1)集成。

4.根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体二极管(1)，其中，所述至少一个电阻元件(13)耦合到所述短路区域(108)中的至少一个。

5.根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体二极管(1)，其中，所述至少一个电阻元件(13)被布置为与所述短路区域(108)中的至少一个接触。

6.根据前述权利要求1至4中的一项所述的功率半导体二极管(1)，其中，所述至少一个电阻元件(13)经由中间层(135)耦合到所述短路区域(108)中的至少一个。

7.根据权利要求6所述的功率半导体二极管(1)，其中，所述中间层(135)包括al、alsi、alsicu、ti和/或展现至少3nm且至多3μm的沿垂直方向(z)的厚度。

8.根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体二极管(1)，其中，所述至少一个电阻元件(13)至少部分地与所述短路区域(108)中的至少一个横向重叠。

9.根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体二极管(1)，其中，所述短路区域(108)和所述阴极区域(109)沿着第一横向方向(x)彼此挨着交替布置。

10.根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体二极管(1)，其针对至少90％数量的短路区域(109)中的每一个包括至少一个电阻元件(13)。

11.根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体二极管(1)，其中，所述至少一个电阻元件(13)中的每一个在低温范围内具有小于所述第二负载端子(12)的电阻的两倍的第一电阻，并且在高温范围内具有达到所述第一电阻的至少十倍的第二电阻，其中，例如，所述第一温度范围包括-50℃与1...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·普法芬莱纳，A·比斯瓦斯，M·科托罗格亚，HJ·舒尔茨，P·森格，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：