【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及铁电晶体,尤其涉及一种获得单畴铁电半导体单晶的极化方法。
技术介绍
1、铁电半导体材料由于具良好的铁电、压电、非线性光学、光折变、电光与半导体特性,在信息存储记忆、智能传感器、热释电红外探测、光电探测器、铁电光催化、铁电光伏器件等领域具有重要的应用价值。铁电材料中具有相同极化方向的区域称为铁电畴,分割不同畴的区域称为畴壁。尽管多畴铁电晶体具有巨大的压电系数,但是大量无序畴壁对光的散射作用导致光学透射率大大降低,制约了其在电光器件及透明传感器等领域的应用。相反,单畴铁电单晶由于具有优异的光学及电光性能,在声表面波滤波器、固态自倍频激光器、电光器件等领域具有重要的应用价值。
2、目前,单畴铁电单晶的极化方法主要有电场极化、光辅助电场极化、全光极化等。其中,电场极化是最常用的单畴铁电极化方法,然而受限于能耗高、易出现开裂现象及繁琐的电路设计搭建等因素。与电场极化相比,光辅助电场极化借助光照,有效降低了极化所需的电场,但是这一极化方法仍然需要制备电极和复杂的直流偏置装置。全光极化工艺简单,并且不需要外部电场,在铁电半导
...【技术保护点】
1.一种获得单畴铁电半导体单晶的极化方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的极化方法,其特征在于,所述原材料为多畴态原始块状铁电半导体单晶。
3.根据权利要求1所述的极化方法,其特征在于,步骤S200中,将原材料放在带透明钟罩的加热台中进行加热。
4.根据权利要求3所述的极化方法,其特征在于,能够同时处理多块原材料。
5.根据权利要求3所述的极化方法,其特征在于,所述加热台的温度按照3℃/min~5℃/min的升温速度从室温上升至第一预设温度T1。
6.根据权利要求5所述的极化方法,其特征在
...【技术特征摘要】
1.一种获得单畴铁电半导体单晶的极化方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的极化方法,其特征在于,所述原材料为多畴态原始块状铁电半导体单晶。
3.根据权利要求1所述的极化方法,其特征在于,步骤s200中,将原材料放在带透明钟罩的加热台中进行加热。
4.根据权利要求3所述的极化方法,其特征在于,能够同时处理多块原材料。
5.根据权利要求3所述的极化方法,其特征在于,所述加热台的温度按照3℃/min~5℃/min的升温速度从室温上升至第一预设温度t1。
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【专利技术属性】
技术研发人员:邓建明,李水琴,韩飞飞,朱庆丰,梅海娟,龚伟平,
申请(专利权)人:惠州学院,
类型:发明
国别省市:
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