一种射频感应耦合等离子体均匀性调控装置制造方法及图纸

本申请公开了一种射频感应耦合等离子体均匀性调控装置，涉及射频等离子体技术领域，该装置包括：放电腔室、石英介质窗、射频线圈对和双腔屏蔽罩；所述石英介质窗设置于所述放电腔室的上表面；所述射频线圈对设置于所述石英介质窗的上表面；所述双腔屏蔽罩设置于所述石英介质窗的上表面，与所述石英介质窗的上表面形成两个空腔；所述射频线圈对设置于所述石英介质窗的上表面，且所述射频线圈对中两个射频线圈分别设置于不同空腔中；本申请通过设置双腔屏蔽罩屏蔽所述射频线圈对中两个射频线圈，同时调节所述射频线圈对中两个射频线圈的位置关系，可对射频感应耦合等离子体的均匀性进行调控。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及射频等离子体，特别是涉及一种射频感应耦合等离子体均匀性调控装置。

技术介绍

1、低气压射频感性耦合等离子体源(rf-icp)由于其具有等离子体密度高、可实现大面积均匀等离子体等优点，已广泛应用于刻蚀、薄膜沉积和材料表面处理等领域。工艺质量通常通过一些关键的指标进行评估：刻蚀工艺主要通过刻蚀的选择性、均匀性、各向异性、低离子能量损伤和刻蚀的速率等参数进行评估；沉积工艺通常通过沉积的均匀性和沉积速率等参数进行评估。等离子体的特性(如均匀性、离子通量和离子能量的独立控制、等离子体密度、离子与中性粒子的通量比等)直接决定了刻蚀和沉积的工艺结果。因此，调控等离子体参数成为实现高质量加工工艺的关键，而调控等离子体参数需要深入理解等离子体的产生与输运机制。

2、低气压射频感性耦合等离子体源是制备平板显示器的重要器件，随着科技发展，平板显示器的尺寸越来越大，目前已经发展到了第8.5代，平板显示器的面积已经达到2200×2500mm2。在如此大面积的矩形腔室中，当放电腔室的尺寸与电磁波在等离子体中的波长(电磁波在等离子体中传播时，其波长比真空情况下的波本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种射频感应耦合等离子体均匀性调控装置，其特征在于，包括：放电腔室、石英介质窗、射频线圈对和双腔屏蔽罩；

2.根据权利要求1所述的射频感应耦合等离子体均匀性调控装置，其特征在于，所述射频线圈对中两个射频线圈均为方形螺旋结构。

3.根据权利要求2所述的射频感应耦合等离子体均匀性调控装置，其特征在于，所述射频线圈对中两个射频线圈的螺旋圈数相同。

4.根据权利要求3所述的射频感应耦合等离子体均匀性调控装置，其特征在于，所述螺旋圈数为4。

5.根据权利要求1所述的射频感应耦合等离子体均匀性调控装置，其特征在于，所述射频线圈对中两个射频线圈的位置...

【技术特征摘要】

1.一种射频感应耦合等离子体均匀性调控装置，其特征在于，包括：放电腔室、石英介质窗、射频线圈对和双腔屏蔽罩；

2.根据权利要求1所述的射频感应耦合等离子体均匀性调控装置，其特征在于，所述射频线圈对中两个射频线圈均为方形螺旋结构。

3.根据权利要求2所述的射频感应耦合等离子体均匀性调控装置，其特征在于，所述射频线圈对中两个射频线圈的螺旋圈数相同。

4.根据权利要求3所述的射频感应耦合等离子体均匀性调控装置，其特征在于，所述螺旋圈数为4。

5.根据权利要求1所述的射频感应耦合等离子体均匀性调控装置，其特征在于，所述射频线圈对中两个射频线圈的位置关系为旋转。

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕翔云，辛程，高飞，王友年，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：