复合材料及其制备方法、光电器件及显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种复合材料及其制备方法、光电器件及显示装置，复合材料包括无机半导体粒子以及第一材料，其中，所述第一材料包括具有式(1)所示结构的化合物中的一种或多种。本申请提出的复合材料，添加有氮氧自由基化合物，该化合物中的氧可以与无机半导体粒子表面未配位的金属离子配位，起到钝化表面缺陷的作用。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种复合材料及其制备方法、光电器件及显示装置。

技术介绍

1、无机半导体粒子是指具有半导体性能的无机材料，例如，氧化锌纳米粒子、氧化钼纳米粒子、硫化镉纳米粒子等。这些材料大多具有优异的载流子注入或传输性能，被广泛应用于半导体器件中。

2、然而，现有的无机半导体材料表面存在大量缺陷，降低了载流子传输效率，进而影响到材料的应用。

技术实现思路

1、鉴于此，本申请提供一种复合材料及其制备方法、光电器件及显示装置，旨在钝化无机半导体粒子表面的缺陷。

2、本申请实施例是这样实现的：

3、第一方面，本申请提供一种复合材料，包括无机半导体粒子以及第一材料，其中，所述第一材料包括具有式(1)所示结构的化合物中的一种或多种；

4、

5、其中，y选自氢、氘、氨基、卤素、羟基、羧基、硝基、磺酸基、巯基、氰基、取代或未被取代的c1～c20的烷基、取代或未被取代的c3～c30的环烷基、取代或未被取代的c1～c20烷基羰基、取代或未被取代的c1～c20本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种复合材料，其特征在于，包括无机半导体粒子以及第一材料，其中，所述第一材料包括具有式(1)所示结构的化合物中的一种或多种；

2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，Y选自氢、羟基、C1～C6烷基、C1～C6烷氧基、NR5R6中的一种，其中，R5、R6各自独立的选自H、C1～C6烷基、C1～C6烷氧基、C1～C6烷基羰基；和/或，

3.根据权利要求2所述的复合材料，其特征在于，Y选自H、羟基、C1～C3烷基、C1～C3烷氧基、NR5R6中的一种；和/或，

4.根据权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述第一材料包括式(2)至(6)任一所示化...

【技术特征摘要】

1.一种复合材料，其特征在于，包括无机半导体粒子以及第一材料，其中，所述第一材料包括具有式(1)所示结构的化合物中的一种或多种；

2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，y选自氢、羟基、c1～c6烷基、c1～c6烷氧基、nr5r6中的一种，其中，r5、r6各自独立的选自h、c1～c6烷基、c1～c6烷氧基、c1～c6烷基羰基；和/或，

3.根据权利要求2所述的复合材料，其特征在于，y选自h、羟基、c1～c3烷基、c1～c3烷氧基、nr5r6中的一种；和/或，

4.根据权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述第一材料包括式(2)至(6)任一所示化合物中的一种或多种：

5.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料中，所述无机半导体粒子和所述第一材料的摩尔比为1：(0.01～0.1)；和/或，

6.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述无机半导体粒子选自n型无机半导体粒子，所述n型无机半导体粒子选自金属氧化物、掺杂金属氧化物中的一种或多种；所述金属氧化物包括zno、tio2、sno2、zro、al2o3、wo3、hfo3、ta2o3、zrsio4、batio3、bazro3中的一种或多种；所述掺杂金属氧化物中的金属氧化物包括zno、tio2、sno2、zro、al2o3、wo3、hfo3、ta2o3、zrsio4、batio3、bazro3中的多种，掺杂元素包括al、mg、li、in、ga、cd、cs、cu中的一种或多种；或者，

7.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述无机...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭煜林，吴龙佳，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：