【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料表面处理，特别是基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法。
技术介绍
1、随着微电子技术和半导体产业的快速发展，单晶硅作为重要的半导体材料，其表面微结构的精确控制和加工工艺越来越受到研究者的关注。单晶硅表面处理技术在微机电系统(mems)、集成电路(ic)、光电器件等领域具有广泛应用。传统的单晶硅表面处理方法主要包括干法刻蚀和湿法刻蚀两大类，其中湿法刻蚀因其工艺简单、成本低廉、适用于大规模生产等优势，在工业生产中得到广泛应用。然而，现有的湿法刻蚀技术在进行深微米级或亚微米级精细结构加工时，往往存在各向异性控制不足、刻蚀速率不均匀、表面粗糙度较大等技术难题，这严重制约了高精度单晶硅器件的制备与发展。
2、目前，业内普遍采用单一蚀刻工艺对单晶硅进行表面处理，这种方法难以同时满足刻蚀深度和表面质量的双重要求。在实际应用中，若采用快速刻蚀工艺，虽然可以提高加工效率，但容易造成刻蚀不均匀、轮廓不规则等问题；若采用温和的刻蚀工艺，虽然可以获得较好的表面质量，但工艺周期较长，生产效率低下。此外，现有技术中缺乏对蚀刻过程中...
【技术保护点】
1.一种基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法，其特征在于：包括：
2.如权利要求1所述的基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法，其特征在于：所述第一蚀刻液包括氢氧化钾晶体、超纯去离子水、高纯乙二醇以及电子级四甲基氢氧化铵；
3.如权利要求2所述的基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法，其特征在于：所述初步蚀刻包括：
4.如权利要求3所述的基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法，其特征在于：向所述第一蚀刻液中加入异丙醇添加剂包括：
5.如权利要求4所述的基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法，其特征在于：继续蚀刻所述单晶硅基底包括：
...【技术特征摘要】
1.一种基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法，其特征在于：包括：
2.如权利要求1所述的基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法，其特征在于：所述第一蚀刻液包括氢氧化钾晶体、超纯去离子水、高纯乙二醇以及电子级四甲基氢氧化铵；
3.如权利要求2所述的基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法，其特征在于：所述初步蚀刻包括：
4.如权利要求3所述的基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法，其特征在于：向所述第一蚀刻液中加入异丙醇添加剂包括：
5.如权利要求4所述的基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法，其特征在于：继续蚀刻所述单晶硅基底...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁鼎，陈敏坚，耿健，周长松，
申请(专利权)人：杭州睿昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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