一种基于双层钝化层调控的激光器结构制造技术

本发明专利技术提供了一种基于双层钝化层调控的激光器结构，激光器结构沿着外延生长方向依次包括阴极电极、衬底层、下限制层、下波导层、量子阱有源层、上波导层、上限制层、脊波导层、阳极电极，其中，阳极电极完全覆盖脊波导层，且投影面积小于上限制层的投影面积；上限制层的上壁和脊波导层的侧壁沉积低K钝化层，低K钝化层上沉积高K钝化层；本技术中低K钝化层具有相对低的折射率，主要限制光场分布、减少光子泄漏；利用高K钝化层的分压小的特点来调控器件内部的横向能带、更好地限制空穴分布在脊型波导下方，减小激光器阈值电流。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电力电子器件，具体涉及基于双层钝化层调控的激光器结构。

技术介绍

1、研究表明，大功率半导体fabry-perot(fp)激光器在数据存储、激光制造、激光显示、海底通信和生物医学、光学通信、激光武器等民用和军用领域有着广阔的应用前景；随着半导体材料与制备工艺技术的发展与完善，基于氮化镓(gan)宽禁带半导体的fp激光器吸引了人们广泛的关注。

2、然而，现阶段的gan基fp激光器性能指标普遍偏低，存在阈值电流大、发光功率低和可靠性差等问题；首先，相比gaas基fp激光器技术的成熟，gan基fp激光器面临着更高的外延与工艺技术壁垒，外延层与衬底二者间的大晶格失配度导致器件内部高位错密度，严重地增加非辐射复合几率；此外，有源区中电子和空穴的非均匀分布容易加剧器件的电子泄漏，尤其是大电流注入情况，非常不利于gan基fp激光器的发光效率和可靠性；造成这种非均匀载流子分布的原因包括了迁移率的差异性、iii-v氮化物的极化效应和低p型掺杂效率，为提高空穴注入、减小电子泄漏，研究人员提出极化掺杂和金属-绝缘薄层-半导体(mis)等结构，除了调控电学、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于双层钝化层调控的激光器结构，其特征在于，激光器结构沿着外延生长方向依次包括阴极电极(109)、衬底层(101)、下限制层(102)、下波导层(103)、量子阱有源层(104)、上波导层(105)、上限制层(106)、脊波导层(107)、阳极电极(108)，其中，阳极电极(108)完全覆盖脊波导层(107)，且投影面积小于上限制层(106)的投影面积；上限制层(106)的上壁和脊波导层(107)的侧壁沉积低K钝化层(110)，低K钝化层(110)上沉积高K钝化层(111)。

2.根据权利要求1所述的一种基于双层钝化层调控的激光器结构，其特征在于，所述高K钝化层(11...

【技术特征摘要】

1.一种基于双层钝化层调控的激光器结构，其特征在于，激光器结构沿着外延生长方向依次包括阴极电极(109)、衬底层(101)、下限制层(102)、下波导层(103)、量子阱有源层(104)、上波导层(105)、上限制层(106)、脊波导层(107)、阳极电极(108)，其中，阳极电极(108)完全覆盖脊波导层(107)，且投影面积小于上限制层(106)的投影面积；上限制层(106)的上壁和脊波导层(107)的侧壁沉积低k钝化层(110)，低k钝化层(110)上沉积高k钝化层(111)。

2.根据权利要求1所述的一种基于双层钝化层调控的激光器结构，其特征在于，所述高k钝化层(111)沉积在低k钝化层(110)和阳极电极(108)之间，且边缘处与低k钝化层(110)的边缘平齐。

3.根据权利要求1所述的一种基于双层钝化层调控的激光器结构，其特征在于，激光器结构的后端面上镀设有反射膜(112)。

4.根据权利要求3所述的一种基于双层...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：天津赛米卡尔科技有限公司，
类型：新型
国别省市：