【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数据存储，尤其涉及一种存储器修复电路和存储器的修复方法。
技术介绍
1、在现有mram(非易失性的磁性随机存储器)制作工艺不够成熟的条件下，阵列会形成很多无法正常工作的位元。如有些tail bit(拖尾态位元)难以翻转，需要施加高于正常位元的写电压，才能正常使用。再如有些位元已经被击穿，甚至处于不可逆的击穿状态，其同样无法进行正常使用。如此将严重影响阵列的良率。
2、要想正常使用阵列功能，必须将上述有问题的位元进行去除，或者将其替换为能正常读写的单元。
3、而现有常用的方法是使用行列的冗余单元进行修复。但是，在采用该方法进行修复的过程中，每次只能对阵列中的整行或者整列的位元进行替换。如此在阵列中某一行或某一列上出现个位数的拖尾态位元或/和处于不可逆的击穿状态的位元时，则需要对一整行或一整列中的上千个位元进行替换，即需要对上千个可正常使用的位于进行替换。如此无疑造成了资源的浪费，提高了位元修复的成本，降低了位元的修复效率。
技术实现思路
1、为解决上述问题，本专利技术提供的存储器修复电路和存储器的修复方法，通过设置一级标记模块、翻转判断模块、二级标记模块和读数据模块，降低了位元修复的成本，提高了位元的修复效率。
2、第一方面，本专利技术提供一种存储器修复电路，包括：
3、一级标记模块，与存储器上的位元电连接，用于判断位元是否处于击穿状态，并对处于击穿状态下的位元进行一级标记；
4、翻转判断模块，与位元组和一级标
5、二级标记模块，与翻转判断模块电连接，用于提供翻转标志位，翻转标志位与位元组一一对应，翻转标志位用于对存在翻转位元的位元组进行二级标记；
6、读数据模块，与位元、一级标记模块和二级标记模块电连接，用于输出对从经过二级标记的翻转位元中读出的数据进行取反的数据，输出从仅经过一级标记的位元中读出的数据以及未经过一级标记的位元中读出的数据。
7、可选地，存储器修复电路还包括：
8、写击穿模块，与位元连接，用于击穿烧毁的位元和/或拖尾态位元，拖尾态位元为存储器中所需读写电压大于存储器在应用时所使用的正常读写电压的位元。
9、可选地，写击穿模块包括：第一控制开关单元、第二控制开关单元和第三控制开关单元；
10、第一控制开关单元串联在位元组的共位线上，第二控制开关单元串联在位元组的共源线上，第三控制开关单元的一端与供电端连接，第三控制开关的另一端与第一控制开关单元的输出端连接；
11、第一控制开关连接有第一控制端，第二控制开关连接有第二控制端，第三控制开关连接有第三控制端；
12、在击穿烧毁的位元或拖尾态位元时，第一控制端控制第一控制开关关闭，第二控制端控制第二控制开关导通，第三控制端控制第三控制开关导通；
13、在使用正常读写电压对位元进行读写时，第一控制端控制第一控制开关导通，第二控制端控制第二控制开关导通，第三控制端控制第三控制开关关闭；
14、在不对位元进行读写以及击穿时，第三控制端控制第三控制开关关闭。
15、可选地，一级标记模块包括：电流镜、第一电压型放大器和第一参考电阻；
16、电流镜包括；第一电流输出端和第二电流输出端，第一电流输出端所输出的电流与第二电流输出端所输出的电流相等；
17、第一电压型放大器包括：第一电压输入端和第二电压输入端；
18、第一电流输出端分别与位元组的一端和第一电压输入端电连接，第二电流输出端分别与第一参考电阻的一端和第二电压输入端电连接，第一参考电阻的另一端和位元组的另一端电位相同；
19、第一参考电阻的阻值大于击穿状态下的位元的阻值，且小于低阻态下的位元的阻值；
20、第一电压型放大器用于比较第一电压输入端和第二电压输入端的电位的高低；
21、一级标记模块还用于在第一电压输入端的电位小于第二电压输入端的电位时，对与第一电压输入端连通的位元进行一级标记。
22、可选地，一级标记模块还包括：第二电压型放大器和第二参考电阻；
23、第二电压型放大器包括：第三电压输入端和第四电压输入端，电流镜还包括：第三电流输出端，第三电流输出端所输出的电流与第一电流输出端所输出的电流相等；
24、第三电流输出端分别与第二参考电阻的一端和第三电压输入端电连接，第三电压输入端与第一电流输出端电连接，第二参考电阻的另一端和位元组的另一端电位相同；
25、第二参考电阻的阻值大于低阻态下的位元的阻值，且小于高阻态下的位元的阻值；
26、第二电压型放大器用于比较第一电压输入端和第三电压输入端的电位的高低；
27、一级标记模块还用于根据第二电压型放大器的比较结果，输出从与第一电压输入端连通的位元所读出的数据。
28、可选地，一级标记模块还用于对处于击穿状态下的位元所对应的判断位赋值为1，以对处于击穿状态下的位元进行一级标记，对未处于击穿状态下的位元所对应的判断位赋值为0；
29、翻转判断模块包括：一个或门和多个与门；
30、多个与门与位元组内的位元一一对应，多个与门的一输入端分别与一级标记模块电连接，以获取相应的位元所对应的判断位中写入的数据；多个与门的另一输入端分别与相应的位元的数据写入端连接，以获取位元所对应的待写入数据；
31、或门与多个与门的输出端电连接；或门的输出端与二级标记模块电连接，以将输出的数值写入翻转标志位。
32、可选地，二级标记模块还用于通过对多个标记位元中读取的数值进行投票，以多数相同的数值作为翻转标志值输出，翻转标志值用于区分对应的位元组中是否存在翻转位元；
33、读数据模块还用于根据翻转标志值和一级标记模块的标记结果输出数据。
34、可选地，读数据模块包括：位元读取器、缓存器、反相器、逻辑判断器和多路选择器；
35、位元读取器的输入端与位元电连接，位元读取器的输出端分别与缓存器的输入端和反相器的输入端电连接，多路选择器的输入端分别与缓存器的输出端和反相器的输出端电连接，多路选择器的使能端与逻辑判断器的输出端电连接，逻辑判断器的输入端分别与二级标记模块和一级标记模块电连接；
36、多逻辑判断器用于通过二级标记模块和一级标记模块判断位元读取器所连接的位元是否为是翻转位元；若是，输出第一使能信号；若否，输出第二使能信号；
37、多路选择器用于在接收到第一使能信号时与反相器连通，在接收到第二使能信号时与缓存器连通。
38、第二方面，本专利技术提供一种存储器的修复方法，包括：
39、读取位元的判断位中的数值，以根据判断位中的数值判断位元是否处于击穿状态，判断位用于对处于击穿状态下的位元进行一级本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器修复电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器修复电路，其特征在于，所述存储器修复电路还包括：
3.根据权利要求2所述的存储器修复电路，其特征在于，所述写击穿模块包括：第一控制开关单元、第二控制开关单元和第三控制开关单元；
4.根据权利要求1至3中任一项所述的存储器修复电路，其特征在于，所述一级标记模块包括：电流镜、第一电压型放大器和第一参考电阻；
5.根据权利要求4所述的存储器修复电路，其特征在于，所述一级标记模块还包括：第二电压型放大器和第二参考电阻；
6.根据权利要求1至3中任一项所述的存储器修复电路，其特征在于，所述一级标记模块还用于对处于击穿状态下的位元所对应的判断位赋值为1，以对处于击穿状态下的位元进行一级标记，对未处于击穿状态下的位元所对应的判断位赋值为0；
7.根据权利要求1至3中任一项所述的存储器修复电路，其特征在于，所述二级标记模块还用于通过对所述多个标记位元中读取的数值进行投票，以多数相同的数值作为翻转标志值输出，所述翻转标志值用于区分对应的位元组中是否存在翻
8.根据权利要求1至3中任一项所述的存储器修复电路，其特征在于，所述读数据模块包括：位元读取器、缓存器、反相器、逻辑判断器和多路选择器；
9.一种存储器的修复方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述读取位元的判断位中的数值，以根据判断位中的数值判断所述位元是否处于击穿状态的步骤之前，所述方法还包括：
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述判断位对处于击穿状态下的位元标记的数值为1，对未处于击穿状态下的位元标记的数值为0；
12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其特征在于，所述读取位元的判断位中的数值，以根据判断位中的数值判断所述位元是否处于击穿状态的步骤，包括：
13.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其特征在于，所述在对位元进行读操作时，读取所述位元所对应的判断位和翻转标志位，以判断所述位元是否处于击穿状态，以及所述位元所在的位元组是否进行了二级标记；若所述位元处于击穿状态且所述位元所在的位元组进行了二级标记，输出对从经过二级标记的所述翻转位元中读出的数据进行取反的数据；若所述位元未处于击穿状态或所述位元所在的位元组未进行二级标记，输出从所述位元读出的数据的步骤，包括：
14.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其特征在于，所述判断位元组中是否存在翻转位元；若是，通过翻转标志位对所述位元所在的位元组进行二级标记的步骤，包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述翻转标志位包括多个标记位元；
...【技术特征摘要】
1.一种存储器修复电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器修复电路，其特征在于，所述存储器修复电路还包括：
3.根据权利要求2所述的存储器修复电路，其特征在于，所述写击穿模块包括：第一控制开关单元、第二控制开关单元和第三控制开关单元；
4.根据权利要求1至3中任一项所述的存储器修复电路，其特征在于，所述一级标记模块包括：电流镜、第一电压型放大器和第一参考电阻；
5.根据权利要求4所述的存储器修复电路，其特征在于，所述一级标记模块还包括：第二电压型放大器和第二参考电阻；
6.根据权利要求1至3中任一项所述的存储器修复电路，其特征在于，所述一级标记模块还用于对处于击穿状态下的位元所对应的判断位赋值为1，以对处于击穿状态下的位元进行一级标记，对未处于击穿状态下的位元所对应的判断位赋值为0；
7.根据权利要求1至3中任一项所述的存储器修复电路，其特征在于，所述二级标记模块还用于通过对所述多个标记位元中读取的数值进行投票，以多数相同的数值作为翻转标志值输出，所述翻转标志值用于区分对应的位元组中是否存在翻转位元；
8.根据权利要求1至3中任一项所述的存储器修复电路，其特征在于，所述读数据模块包括：位元读取器、缓存器、反相器、逻辑判断器和多路选择器；
9.一种存储器的修复方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈岙，周亚星，何世坤，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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