【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电路三维集成，特别是涉及一种基于power switch的碳硅三维集成方法和装置。
技术介绍
1、自摩尔定律驱动集成电路发展以来，芯片工艺不断精进，集成度显著提升，引领了信息技术革命。然而，cmos工艺步入10nm节点后，摩尔定律遭遇瓶颈，进一步缩小尺寸在带来性能和面积好处的同时功耗问题凸显，逐渐成为制约未来发展的关键因素。尤其是对于移动端设备，功耗的增加会增加对电池容量的要求，而电池设备的发展远不及集成电路的发展速度，制约了用长度和整体使用寿命；同时功耗过高而导致的发热问题也会严重降低芯片的可靠性，显著增加了电子产品的故障率。所以近年来低功耗设计成为vlsi设计的重要研究方向。cmos电路功耗主要分为动态功耗和静态功耗，动态功耗指晶体管工作中，由于工作状态变化而产生的功耗，主要包含开关功耗和短路功耗；静态功耗指的是晶体管停止工作时，由于泄露电流而产生的功耗。随着步入深纳微米工艺阶段，动态功耗随着晶体管尺寸和芯片工作电压的降低而得到限制，但随着晶体管阈值电压的降低导致亚阈值电流呈指数级增长，静态功耗在芯片总功耗中占比越来越重，...
【技术保护点】
1.一种基于Power Switch的碳硅三维集成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电源开关网络包括多个电压域区域，每个电压域区域对应一个金属焊盘，所述金属焊盘为对应电压域区域的电源接入点。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述网格型排布等效与一个规则的点阵阵列，所述点阵阵列中每个节点为一个Power Switch单元，所述Power Switch单元的一端通过金属焊盘连接到对应的供电电源网络，另一端通过TSV技术采用三维集成的方式与硅电路部分对接，电压域区域中的Power Switch单...
【技术特征摘要】
1.一种基于power switch的碳硅三维集成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电源开关网络包括多个电压域区域，每个电压域区域对应一个金属焊盘，所述金属焊盘为对应电压域区域的电源接入点。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述网格型排布等效与一个规则的点阵阵列，所述点阵阵列中每个节点为一个power switch单元，所述power switch单元的一端通过金属焊盘连接到对应的供电电源网络，另一端通过tsv技术采用三维集成的方式与硅电路部分对接，电压域区域中的power switch单元由单独控制信号控制。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述链式排布将多个power switch单元串联成链，在每个power switch单元之间插入buffer进行连接，所述power switch单元的一端通过金属焊盘以通过供电电源网络接收关断域电压，另一端通过tsv技术采用三维集成的方式与硅电路部分对接；其中，每个关断域中的power switch单元均由一个控制信号控制。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，环形排布中每个power switch单元环绕在金属焊盘，power switch单元的一端连接金属焊盘以通过供电电源网络接收关断域电压，在使用wire-bonding技术时，power switch单元的另一端连接金属焊盘以连接下层硅电路部分的电源，在使用tsv技术时，power switch单元的另一端则通过tsv技术连接至下层硅电路部分的电源网络的四周。
6.根据权利要求3至5任意一项所述的方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱麒瑾，陈小文，袁珩洲，芮志超，李晨，鲁建壮，刘畅，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：
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