半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种适合高散热性、高输出、高集成化的半导体装置及其制造方法。半导体装置(110)具备：基板(1)，在上表面具有电路元件以及与该电路元件连接的电极；以及外部连接用的导体柱凸块(PB)，设置在该基板(1)上与电极或者电路元件(21)接触并电连接。基板(1)包含第一基材(10)、和配置在该第一基材(10)上的第二基材(20)，电路元件(21)以及电极形成于第二基材(20)，第一基材(10)的热阻比第二基材(20)的热阻低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置，尤其涉及用于高频电路并具有发热部的半导体装置及其制造方法。

技术介绍

1、以往，已知有经由凸块将半导体装置安装于安装基板并将凸块作为散热路径来利用的半导体装置。

2、例如在专利文献1中，示出了构成有在化合物半导体基板上并联连接多个单位晶体管而成的异质结双极晶体管(hbt)的化合物半导体装置。这多个单位晶体管排列于化合物半导体基板，凸块与这多个单位晶体管的发射极电连接。

3、专利文献1：日本特开2016－103540号公报

4、在形成有移动体通信、卫星通信等中使用的高频放大电路的mmic(monolithicmicrowave integrated circuit：单片微波集成电路)中，随着近年来的进一步高速/高功能化，由rffe(rf front-end)的损失的增加以及功率放大器设备的自发热引起的特性极限成为课题。例如，在双极晶体管中，因其集电极损失而发热，且由于双极晶体管本身的升温，基极-发射极间电压vbe降低，由此若施加集电极电流增大、vbe进一步降低这样的正反馈则导致热失控。若mmic的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体装置，其中，

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体装置，其中，

...

【专利技术属性】
技术研发人员：青池将之，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：