【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于制造半导体器件例如lsi等的反射型掩模用材料即反射型掩模坯料、和由反射型掩模坯料制造反射型掩模的方法。
技术介绍
1、在半导体器件的制造工艺中，反复使用了光蚀刻技术，其中用曝光光照射转印掩模，将转印掩模上形成的电路图案通过缩小投影光学系统转印至半导体基板(半导体晶片)上。以往，曝光光的主流波长是利用氟化氩(arf)准分子激光的193nm。通过采用将曝光过程和加工过程多次组合的称作多重图案化的工艺最终形成尺寸小于曝光波长的图案。
2、然而，由于需要在器件图案的连续微型化下形成更细微的图案，因此使用了利用具有比arf准分子激光的波长更短的波长的极紫外(下文称作“euv”)光作为曝光光的极紫外光刻技术。euv光是具有约0.2至100nm的波长的光，特别地，波长为约13.5nm的光。euv光对物质的透过性非常低并且不能用于以往的透过型投影光学系统或掩模，因此应用反射类型光学元件器件。因此，还提出了反射型掩模作为图案转印用掩模。
3、在反射型掩模中，通常在由玻璃制成的低热膨胀基板的一个主表面上形成反射eu...
【技术保护点】
1.反射型掩模坯料，其为利用EUV光作为曝光光的EUV光刻中使用的反射型掩模用材料，包括：
2.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中当在相同条件下对吸收膜和蚀刻阻止膜进行离子束蚀刻时，蚀刻阻止膜对吸收膜蚀刻选择性小于1。
3.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中当在相同条件下对吸收膜和蚀刻阻止膜进行甲醇蚀刻时，蚀刻阻止膜对吸收膜蚀刻选择性小于1。
4.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中当在相同条件下对吸收膜和蚀刻阻止膜进行使用氯基气体或氟基气体的干法蚀刻时，蚀刻阻止膜对吸收膜的蚀刻选择性大于1。
5.根据权...
【技术特征摘要】
1.反射型掩模坯料，其为利用euv光作为曝光光的euv光刻中使用的反射型掩模用材料，包括：
2.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中当在相同条件下对吸收膜和蚀刻阻止膜进行离子束蚀刻时，蚀刻阻止膜对吸收膜蚀刻选择性小于1。
3.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中当在相同条件下对吸收膜和蚀刻阻止膜进行甲醇蚀刻时，蚀刻阻止膜对吸收膜蚀刻选择性小于1。
4.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中当在相同条件下对吸收膜和蚀刻阻止膜进行使用氯基气体或氟基气体的干法蚀刻时，蚀刻阻止膜对吸收膜的蚀刻选择性大于1。
5.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中当在相同条件下对第一硬掩模膜和吸收膜进行使用氯基气体或氟基气体的干法蚀刻时，吸收膜对第一硬掩模膜的蚀刻选择性不大于0.3。
6.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中吸收膜包含钽(ta)以外的金属。
7.根据权利要求6所述的反射型掩模坯料，其中钽(ta)以外的金属是至少一种选自以下的金属：铂(pt)、镍(ni)、金(au)、钯(pd)、铑(rh)、铱(ir)、银(ag)、铁(fe)、钴(co)和锌(zn)。
8.根据权利要求6所述的反射型掩模坯料，其中蚀刻阻止膜包含钽(ta)。
9.根据权利要求6所述的反射型掩模坯料，其中第一硬掩模膜包含钽(ta)。
10.根据权利要求6所述的反射型掩模坯料，其中蚀刻阻止膜和第一硬掩模膜中每个包含钽(ta)和氮(n)。
11.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中多层反射膜包括：由含硅(si)材料构成的高折射率层和由含钼(mo)材料构成的低折射率层。
12.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中保护膜包含钌(ru)。
13.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料，其还包括第一硬掩模膜上的第二硬掩模膜。
14.根据权利要求13所述的反射型掩模坯料，其中第二硬掩模膜包含铬(cr)。
15.由权利要求1至12中任一项的反射型掩模坯料制造反射型掩模的方法，包括以下步骤：
【专利技术属性】
技术研发人员：樱井敬佑，三村祥平，石井丈士，金子英雄，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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