【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制备，尤其涉及一种边缘刻蚀设备。
技术介绍
1、在晶圆经等离子体刻蚀加工出设计图案的过程中，晶圆外边缘区域会堆积一些多余膜层，如多晶硅层、氮化物层、金属层等；当这些多余膜层堆积到一定程度后容易发生破裂，导致晶圆表面被污染并影响晶圆制备的良品率，因此需要通过边缘刻蚀工艺去除晶圆边缘的多余膜层。
2、现有的边缘蚀刻设备中，通常采用可移动式的上电极设计。在传送晶圆进出反应腔时，上电极抬起；对晶圆进行处理时，上电极下降并与晶圆之间保持微小的间距。当上电极在下降到晶圆附近时，还需要使上电极与晶圆、基座保持极高的同心度，使得晶圆边缘暴露在等离子体中的部分在圆周方向对称，从而能够对晶圆边缘进行均匀地刻蚀。
3、然而，为了保证上电极、晶圆和基座的同心度满足工艺要求，需要花费较长的时间对上电极、晶圆和基座的同心度进行调节，影响晶圆的加工效率。因此，有必要在其他方面提高晶圆刻蚀速率，以提高固定时间内晶圆的产出。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种边缘刻蚀...
【技术保护点】
1.一种边缘刻蚀设备，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的边缘刻蚀设备，其特征在于，所述上限制环包括朝向所述晶圆的下表面，且所述第一缺口位于所述上限制环的下表面的上方。
3.如权利要求1所述的边缘刻蚀设备，其特征在于，所述第一缺口的横截面为弧形、U形、V形、L形中的一种或任意一组合。
4.如权利要求2所述的边缘刻蚀设备，其特征在于，所述上限制环的下表面的外径小于所述晶圆的直径且两者的差值为2～5mm。
5.如权利要求1所述的边缘刻蚀设备，其特征在于，所述下限制环上设有朝向所述等离子体反应空间的第二缺口。
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