芳胺化合物、有机电致发光组件及电子装置制造方法及图纸

技术编号:44740903 阅读:42 留言:0更新日期:2025-03-21 18:08
本发明专利技术的目的是提供作为具有高效率和高耐久性的有机电致发光(EL)元件的材料、具有优异的空穴注入/传输性能、具有电子阻挡能力、在薄膜状态下具有高稳定性的由下述通式(I)表示的有机化合物,并且通过使用该化合物提供具有高效率和高耐久性的有机EL元件。在该式中,A表示经取代或未经取代的芳族烃基、经取代或未经取代的芳族杂环基、或经取代或未经取代的缩合多环芳基,B表示经取代或未经取代的咔唑基,C表示未经取代的亚萘基,R表示未经取代的芳族烃基、未经取代的芳族杂环基、或未经取代的缩合多环芳基,L1~L3表示单键、未经取代的2价芳族烃基、未经取代的2价芳族杂环基、或未经取代的2价缩合多环芳基。本发明专利技术的芳胺化合物具有优良的耐热性,也具有良好的空穴传输能力。在有机EL元件的空穴传输层、电子阻挡层、发光层和空穴注入层中使用该化合物的有机EL元件表现出良好的元件性能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【】本专利技术涉及一种适于作为适于各种显示设备的自发光组件的有机电致发光组件(以下,简称为有机el组件)的化合物与组件,具体而言,涉及一种芳胺化合物与使用该化合物的有机el组件。【先前技术】有机el组件为自发光性组件,较液晶组件更明亮且可见性优异,因此,在可实现清晰的显示的方面,一直在积极地进行研究。于1987年,伊士曼·柯达公司的c.w.tang等开发出将各种作用分担至各材料的积层构造组件,由此使使用有机材料的有机el组件成为现实。他们将能够传输电子的荧光体与能够传输空穴的有机物积层,将两侧的电荷注入至荧光体的层中而使其发光,由此以10v以下的电压获得1000cd/m2以上的高亮度(例如,参照专利文献1及专利文献2)。至今为止,为了有机el组件的实用化而进行了较多改良,将积层构造的各种作用进一步细化,从而由在基板上依次设置有阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极的电致发光组件而达成高效率与耐久性(例如,参照非专利文献1)。此外,以进一步提高发光效率为目的而尝试利用三重态激子,且在研究利用磷光发光性化合物(例如,参照非专利文献2)。此外,亦开发出一种利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.芳胺化合物,其由下述通式(I)表示:

2.根据权利要求1所述的芳胺化合物,其中所述通式(I)中的C表示为未经取代的1,2-亚萘基、未经取代的1,3-亚萘基、未经取代的2,4-亚萘基、未经取代的2,5-亚萘基、未经取代的2,6-亚萘基、未经取代的2,8-亚萘基或未经取代的2,7-亚萘基。

3.根据权利要求2所述的芳胺化合物,其中所述通式(I)中的L2及L3表示为未经取代的亚苯基、或未经取代的亚联苯基。

4.根据权利要求3所述的芳胺化合物,其中所述通式(I)中的R表示为未经取代的苯基、未经取代的萘基、未经取代的二苯并呋喃基、未经取代的菲基、或未经取代的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.芳胺化合物,其由下述通式(i)表示:

2.根据权利要求1所述的芳胺化合物,其中所述通式(i)中的c表示为未经取代的1,2-亚萘基、未经取代的1,3-亚萘基、未经取代的2,4-亚萘基、未经取代的2,5-亚萘基、未经取代的2,6-亚萘基、未经取代的2,8-亚萘基或未经取代的2,7-亚萘基。

3.根据权利要求2所述的芳胺化合物,其中所述通式(i)中的l2及l3表示为未经取代的亚苯基、或未经取代的亚联苯基。

4.根据权利要求3所述的芳胺化合物,其中所述通式(i)中的r表示为未经取代的苯基、未经取代的萘基、未经取代的二苯并呋喃基、未经取代的菲基、或未经取代的联苯基。

5.根据权利要求4所述的芳胺化合物,其中所述通式(i)中的b表示为经取代或未经取代的9-咔唑基、经取代或未经取代的2...

【专利技术属性】
技术研发人员:加濑幸喜高相原林栽建泉田淳一林秀一
申请(专利权)人:保土谷化学工业株式会社
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1