【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
1、专利文献1公开了具备在两面具有主电极的半导体元件(半导体芯片)、以夹着半导体元件的方式配置的一对布线部件(热沉)、以及封固体(树脂部)的半导体装置。现有技术文献的记载内容通过参照而作为本说明书中的技术要素的说明而加以引用。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2018－160653号公报
技术实现思路
1、在专利文献1中，在热沉的与半导体元件对置的对置面，设有表面连续地呈凹凸的凹凸氧化膜。凹凸氧化膜通过由于激光的照射而金属熔融、气化、并向照射了激光的部分及其周边部分蒸镀而形成。在周边部分，与照射了激光的部分相比，凹凸氧化膜的膜厚较薄，凸部的高度也较低。作为接合材料的焊料不在薄膜部上浸润扩散。因此，散热路径变窄。从上述的观点或未言及的其他观点来看，对于半导体装置要求进一步的改良。
2、这里公开的半导体装置，具备：半导体元件，具有半导体基板、设在上述半导体基板的一面的高电位侧的第1主电极、以及设在与上述一面在板厚方向上相反的背面的低电位侧的第2主电极；第1布线部件，与上述第1主电极电连接；第2布线部件，在上述板厚方向上在与上述第1布线部件之间夹着上述半导体元件而配置，并与上述第2主电极连接；以及接合材料，介于上述第2主电极与上述第2布线部件之间，将上述第2主电极与上述第2布线部件接合；上述接合材料是具备烧结层和脆弱层的多层构造，上述烧结层的杨氏模量及/或屈服应力大于上述第2主电
3、本说明书公开的多个技术方案为了达成各自的目的而采用了相互不同的技术手段。本说明书公开的目的、特征及效果通过参照后续的详细说明及附图会变得更明确。
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1.一种半导体装置，其特征在于，
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，
2.如权利要求1所述的半导体装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：木村良，小岛悠嗣，佐藤敬，坂本善次，奥村知巳，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：
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