一种基于ICP刻蚀时激光反射信号的EPD检测方法技术

本发明专利技术提供一种基于ICP刻蚀时激光反射信号的EPD检测方法，涉及半导体制造技术领域。所述EPD检测方法包括在外延材料上设置分布式覆盖的掩膜材料，形成覆盖区和裸露区交替存在的刻蚀监控区域；进行ICP等离子体刻蚀及获取激光终点监测反射和/或折射产生的光波信号形成工艺信号曲线；根据工艺信号曲线确定刻蚀监控区域中对外延材料的刻蚀深度。本发明专利技术所提供的方法可在干法刻蚀复杂结构的材料时产生有规律的激光终点监测反射波形图，从而更准确精细的判断出刻蚀深度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，具体而言，涉及一种基于icp刻蚀时激光反射信号的epd检测方法。

技术介绍

1、在半导体制造领域，精确的刻蚀过程是生产高效能电子器件的关键步骤之一。特别是电感耦合等离子体刻蚀(icp)技术，由于其高度的可控性和适用于复杂材料结构的能力，已广泛应用于半导体器件的制造中。在icp刻蚀过程中，为了监控刻蚀深度并确保工艺的一致性和重复性，通常会利用激光检测(epd)技术。此技术通过分析激光在材料表面及界面上的折射、反射和干涉现象产生的信号波形及强度变化，从而生成一个代表刻蚀进程的工艺信号曲线。

2、尽管epd技术提供了一种有效的监控刻蚀过程的手段，但在现有的实践中仍存在一些局限性。目前使用的epd检测通常依赖于预设的须大于一定规定尺寸大小(如方形或圆形)的检测区域，以确保激光光斑完全位于开孔内。通过这种方法可以得到有规律的波形图，进而辅助操作者判断材料的刻蚀深度。然而，这种标准化的检测方法主要适用于光学特性相对单一的材料，且对监测区的尺寸大小有要求，需大于一定的最小尺寸。

3、对于复杂的多层结构材料，尤其是那些由不本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于ICP刻蚀时激光反射信号的EPD检测方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述基于ICP刻蚀时激光反射信号的EPD检测方法，其特征在于，所述掩膜材料具有均一结构且折射率单一的材料。

3.如权利要求1所述基于ICP刻蚀时激光反射信号的EPD检测方法，其特征在于，同时照射到所述掩膜材料和所述外延材料上的ICP刻蚀机所配置的刻蚀终点监测器EPD所发射的激光，反射和/或折射回的光波能够产生叠加。

4.如权利要求1所述基于ICP刻蚀时激光反射信号的EPD检测方法，其特征在于，所述掩膜材料包括SiOx、SiOxNy、SiNx和SiNxHy中的至少一...

【技术特征摘要】

1.一种基于icp刻蚀时激光反射信号的epd检测方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述基于icp刻蚀时激光反射信号的epd检测方法，其特征在于，所述掩膜材料具有均一结构且折射率单一的材料。

3.如权利要求1所述基于icp刻蚀时激光反射信号的epd检测方法，其特征在于，同时照射到所述掩膜材料和所述外延材料上的icp刻蚀机所配置的刻蚀终点监测器epd所发射的激光，反射和/或折射回的光波能够产生叠加。

4.如权利要求1所述基于icp刻蚀时激光反射信号的epd检测方法，其特征在于，所述掩膜材料包括siox、sioxny、sinx和sinxhy中的至少一种。

5.如权利要求1所述基于icp刻蚀时激光反射信号的epd检测方法，其特征在于，所述掩膜材料，通过多个独立覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宪谋，李传奇，
申请(专利权)人：华鸿锐光北京光电子器件制造有限公司，
类型：发明
国别省市：