图像传感器及其制备方法技术

本申请涉及一种图像传感器及其制备方法。该图像传感器包括衬底、阵列排布的感光元件、滤光层、微透镜层与至少两层层叠的抗反射层，感光元件位于衬底的上方，滤光层位于感光元件的上方，滤光层包括第一滤光单元与第二滤光单元，第一滤光单元用于透过第一波段范围的光，第二滤光单元用于透过第二波段范围的光，微透镜层位于滤光层的上方，微透镜层包括第一微透镜与第二微透镜，第一微透镜位于第一滤光单元的上方，第二微透镜位于第二滤光单元的上方，至少两层层叠的抗反射层位于第一微透镜的上方。本申请，可以有针对性地在滤光层中某一个或某一部分滤光单元的上方制备抗反射层，单独且进一步提高某一个或某一部分滤光单元的光学效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种图像传感器及其制备方法。

技术介绍

1、相关技术中，图像传感器，例如，互补式金属氧化物半导体图像传感器（cmosimage sensor，简称cis）与电荷耦合器件（charge coupled device，简称ccd）图像传感器，通常利用一系列光电二极管，其在半导体衬底的像素区阵列内形成，以便感测光何时影响光电二极管。通常可以在任何一个前侧照明组或者后侧照明组来形成互补金属氧化物半导体图像传感器。在前侧照明组中，光从图像传感器的“前”侧入射，经其上已经形成的传输晶体管传递到光电二极管。在背面照明组中，在衬底的背面侧形成传输晶体管、金属层和介电层，前侧形成光电二极管，并且光被允许从衬底的“后”侧传递到光电二极管，使得光击中光电二极管，在其到达传输晶体管、介电层，或金属层之前。cis可包括彩色滤光片（colorfilter）、微透镜（microlens）和抗反射涂层(anti-reflection coating，简称arc)，其允许不同波段的光及更多的光到达光电二极管。

2、在微透镜上方增加抗反射涂层的常规做本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，在所述衬底指向所述感光元件的方向上，所述抗反射层的折射率依次减小。

3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，包括层叠的第一抗反射层与第二抗反射层，所述第一抗反射层位于所述第一微透镜的上方，所述第二抗反射层位于所述第一抗反射层的上方；

4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，还包括第一粘附层与第二粘附层；

5.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，还包括第一粘附层；

6.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：

7...

【技术特征摘要】

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，在所述衬底指向所述感光元件的方向上，所述抗反射层的折射率依次减小。

3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，包括层叠的第一抗反射层与第二抗反射层，所述第一抗反射层位于所述第一微透镜的上方，所述第二抗反射层位于所述第一抗反射层的上方；

4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，还包括第一粘附层与第二粘附层；

5.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，还包括第一粘附层；

6.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：

7.如权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴大伟，王玮，王勇，
申请(专利权)人：成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：