【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体领域,尤其涉及一种气体传感器及气体传感器的制备方法。
技术介绍
1、气体传感器是一种将某种气体体积分数转化成对应电信号的转换器。而半导体气体传感器则是利用半导体气敏元件作为敏感元件的最常见的气体传感器。其中,传统半导体气体传感器的工作原理,是利用气体在半导体表面发生氧化还原反应,最终导致敏感元件的电阻值发生变化。这类电阻型气体传感器虽然灵敏度高,但由于其本身不具备信号放大能力,常常会因为输出信号微弱而影响其稳定性和精确度。而场效应晶体管(fieldeffective transistors,fet)气体传感器具有信号放大能力,并且可实现高集成微小型化,所以备受业界关注。
2、氮化镓化合物(gallium nitride,gan)作为宽禁带宽度半导体,在腐蚀性和高温环境下都具有超高的稳定性,因此,以gan作为衬底的fet气体传感器可以在高温、高腐蚀等极端恶劣环境下对有毒、有害气体进行探测。具体的,gan和镓氮化合物algan可以形成异质结,从而组成高电子迁移率晶体管(high electron mobil
...【技术保护点】
1.一种气体传感器,其特征在于,所述气体传感器包括晶体管,所述晶体管包括依次层叠设置的沟道层、势垒层以及栅极;
2.根据权利要求1所述的气体传感器,其特征在于,沿所述势垒层指向所述沟道层的方向,所述第一沟槽结构的深度小于或者等于所述势垒层的厚度。
3.根据权利要求2所述的气体传感器,其特征在于,在所述第一沟槽结构的深度等于所述势垒层的厚度的情况下,所述沟道层包括第二沟槽结构;
4.根据权利要求3所述的气体传感器,其特征在于,所述栅极还位于所述第二沟槽结构内。
5.根据权利要求2所述的气体传感器,其特征在于,所述第一沟槽结
...【技术特征摘要】
1.一种气体传感器,其特征在于,所述气体传感器包括晶体管,所述晶体管包括依次层叠设置的沟道层、势垒层以及栅极;
2.根据权利要求1所述的气体传感器,其特征在于,沿所述势垒层指向所述沟道层的方向,所述第一沟槽结构的深度小于或者等于所述势垒层的厚度。
3.根据权利要求2所述的气体传感器,其特征在于,在所述第一沟槽结构的深度等于所述势垒层的厚度的情况下,所述沟道层包括第二沟槽结构;
4.根据权利要求3所述的气体传感器,其特征在于,所述栅极还位于所述第二沟槽结构内。
5.根据权利要求2所述的气体传感器,其特征在于,所述第一沟槽结构的底部为平面结构;或者,
6.根据权利要求3或4所述的气体传感器,其特征在于,所述第二沟槽结构的底部为平面结构,或所述第二沟槽结构的底部包括至少一个凸起结构。
7.一种气体传感器的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特...
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