含有吲唑化合物的组合物及使用该组合物而得到的发光元件制造技术

一种组合物，其含有具有吲唑环结构的化合物和磷光发光性化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及含有吲唑化合物的组合物及使用该组合物而得到的发光 元件。
技术介绍
作为用于发光元件的发光层的发光材料，已知将显示来自三重激发态 的发光的化合物(以下有时称为"磷光发光性化合物"。)用于发光层的元件 具有高发光效率。将磷光发光性化合物用于发光层时，通常使用将该化合 物添加于基质而得到的组合物作为发光材料。从可以通过涂布来形成薄月莫 的情况出发，作为基质，使用聚乙烯咔唑之类的高分子(专利文献l)。但是，上述化合物由于最低未占分子轨道(以下有时称为"LUMO"。) 高，所以存在难以注入电子的问题。相反，聚芴等共轭系高分子由于LUMO 低，所以使用它作为基质时，可以比较容易地注入电子。但是，上述共轭 系高分子由于最低三重态激发能小，所以不适合用作特别是用于具有比绿 色短的波长的发光的基质(专利文献2)。例如，包括聚烯烃与三軍态发光化 合物的发光材料(非专利文献l)发光效率低。专利文献l:日本特幵2002-50483号公报专利文献2:日本特开2002-241455号公报非专利文献1:APPLIED PHYSICS LETTERS，80,13,2308(2002)
技术实现思路
为此，本专利技术的目的在于提供用于发光元件等时发光效率优异的发光 材料。本专利技术人经过潜心研究，结果发现含有具有吲唑环结构的化合物和磷 光发光性化合物的组合物可解决上述问题，从而得到了本专利技术。艮口，第一，本专利技术提供含有具有吲唑环结构的化合物和磷光发光性化 合物的组合物。第二，本专利技术提供含有所述磷光发光性化合物的残基和所述喷唑环结 构的高分子。第三，本专利技术提供使用所述组合物或所述高分子而得到的发光性薄 膜、有机半导体薄膜及发光元件。第四，本专利技术提供具有所述发光元件的面状光源、段式显示装置及点 阵式显示装置、具有该发光元件的照明以及具有该发光元件作为背光的液 晶显示装置。本专利技术的组合物、高分子(以下称为"本专利技术的组合物等")发光效率高。 因此，本专利技术的组合物等用于制作发光元件等时，能得到发光效率优异的 发光元件。另外，本专利技术的组合物等通常在绿色 蓝色的发光中具有比较 优异的发光性。这是由于本专利技术组合物所含的化合物(具有喷唑环的化合物)、本专利技术的高分子的最低三重态激发能大。另外，LUMO也较低，能 容易注入电子。具体实施例方式以下，详细说明本专利技术。 〈组合物〉本专利技术的组合物含有具有吲唑环结构的化合物和磷光发光性化合物。 本专利技术中，所谓吲唑环结构是指吲唑、除去吲唑中的一部分或全部(特别是 l个或2个)氢原子而得到的基团。所述具有吲唑环结构的化合物没有特别限定，优选具有选自由下述通 式(l-l)、 (1-2)、 (1-3)、 (1-4)、 (2-1)、 (2-2)及(2-3)中的至少一种吲唑环结构。 该具有吲唑环结构的化合物为高分子时，较优选为在高分子的主链和/或侧 链具有该吲唑环结构的高分子。<formula>formula see original document page 8</formula>(式中，R及R"分别独立地表示氢原子或1价取代基。R及W存在多个时， 它们可以相同或不同。)作为上述l价取代基，可以举出例如卤原子、烷基、烷氧基、垸硫基、 可以具有取代基的芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基垸基、芳基烷基氧基、 芳基烷硫基、酰基、酰基氧基、酰胺基、酰亚胺基、亚胺残基、取代氨基、 取代甲硅烷基、取代甲硅垸基氧基、取代甲硅垸硫基、取代甲硅烷基氨基、 可以具有取代基的l价杂环基、可以具有取代基的杂芳基、杂芳基氧基、 杂芳基硫基、芳基烯基、芳基乙炔基、取代羧基、氰基等，优选垸基、烷 氧基、可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的杂芳基。需要说明的是， 所谓N价杂环基(N为1或2)是由杂环化合物除去N个氢原子而得到的基团，本说明书中是相同的。上述式(l-l)、 (l画2)、 (1-3)、 (1-4)、 (2-1)、 (2-2)或(2-3)中，R及W分别 独立地表示氢原子或l价取代基，优选存在的多个R及W中的至少一个为1 价取代基(特别是存在的多个R及W中的至少一个是碳原子数为3 10的烷 基或碳原子数为3 10的烷氧基)，或者R及W中的至少一个为1价取代基(特 别是R及R'中的至少一个为烷基、烷氧基、可以具有取代基的芳基或可以 具有取代基的杂芳基)。优选上述R中的至少一个是氢原子以外的原子总数 为3以上的1价取代基，更优选氢原子以外的原子总数为5以上的1价取代基，特别优选氢原子以外的原子总数为7以上的1价取代基。存在的多个R 及W可以分别相同或不同。作为上述具有n引唑环结构的化合物，可以举出由下述通式(A-l)或(A-2)表示的化合物或具有它们的残基的化合物。(indzl^-(Y1)n-At^ (A-1)(indzl~j-(Y1)n——^~indzl ) (A-2)(式中，indzl表示由上述通式(l-l)、 (1-2)、 (l-3)或(l-4)表示的吲唑环 结构。indzl存在多个时，它们可以相同或不同。Y，$-C(Ra)(Rb)-、 -C(-O)-、 -N(Re)-、 -O-、 -Si(Rd)(Re)-、 -P(Rf)-、 -S-或-S(-0)2-。 n为0 5的整数。Ar! 表示可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的l价杂环基。Y'存在多个 时，多个V可以相同，也可以不同。Ra Rf分别独立地表示氢原子或l价 取代基。)。作为Ra Rf所示的l价取代基，可以举出烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基垸基、芳基烷氧基、芳基垸 基、芳基烯基、 芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、取代甲硅烷基、甲硅垸基氧基、 取代甲硅烷基氧基、l价杂环基、卤原子。另外，上述具有吲唑环结构的化合物优选具有由下述通式(A-3)表示的 化合物的残基以外的吲唑环结构。(式中，Z环为具有碳原子、Z,及Z2的环状结构。Z!及Z2分别独立地表示-C(H):或画N=。上述式(A-3)中，作为上述环状结构，可以举出可以具有取代基的芳香 环、可以具有取代基的非芳香环，具体而言，可以举出苯环、杂环、脂环式烃环、稠合多个上述环而得到的环、上述环的一部分氢原子被取代了的 环等。所谓由上述式(A-l) (A-3)表示的化合物的残基是指除去该化合物的 一部分或全部氢原子而得到的基团。作为具有上述吲唑环结构的化合物，也可以举出由下述通式(6a)、 (6b) 或(6c)表示的化合物。(式中，indzl表示由上述通式(l-l)、 (1-2)、 (l-3)或(l-4)表示的吲唑环 结构，X表示可以具有取代基的ml价芳香族基团或可以具有取代基的ml 价芳香族杂环基团，X'表示可以具有取代基的m3价芳香族基团或可以具有 取代基的m3价芳香族杂环基团，Ar表示可以具有取代基的亚芳基，Z表示 连结基团。ml、 m2及m3分别独立地为2 8的整数。Z存在多个时，它们可 以相同或不同。存在的多个Ar及indzl可以分别相同或不同。)上述式(6a)中，X所示的可以具有取代基的ml价芳香族基团是由可以 具有取代基的芳香环除去ml个氢原子而得到的基团，可以具有取代基的 ml价芳香族杂环基团是由可以具有取代基的芳香族杂环除去ml个氢原子 而得到的基团。上述式(6c)中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组合物，　其含有具有吲唑环结构的化合物和磷光发光性化合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋野喜彦，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，萨美甚株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]