【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子加速器，更具体地涉及一种电子加速器靶结构。
技术介绍
1、已知电子加速器包括筒体、电子枪、加速管和靶材，其中，加速管安装在筒体内，电子枪安装在加速管的顶端，靶材在加速管的下方安装在筒体上。电子枪产生的电子束通过加速管时得到加速，高速/高能电子作用于靶材。显然，靶材是接受高能电子轰击的关键部件。
2、通常，靶材为钨靶(tungsten target)或钽靶(tantalum target)。钨或钽因其高熔点、高硬度、良好的化学稳定性和抗辐射性而被广泛用作靶材。但是，高速电子撞击靶材时会将部分动能转化为热能，导致靶材温度升高。过热的温度就会影响钨靶或钽靶的性能和寿命。
技术实现思路
1、为了提高钨靶或钽靶的寿命等，本技术提供一种电子加速器靶结构。
2、根据本技术的电子加速器靶结构，其包括靶材、窗口和冷却系统，其中，靶材和窗口在加速管的下方安装在电子加速器的筒体上，冷却系统设置于靶材和窗口之间以对靶材进行冷却，靶材为复合膜结构，其包括钨或钽基材和厚度介于1至...
【技术保护点】
1.一种电子加速器靶结构，其特征在于，该电子加速器靶结构包括靶材、窗口和冷却系统，其中，靶材和窗口在加速管的下方安装在电子加速器的筒体上，冷却系统设置于靶材和窗口之间以对靶材进行冷却，靶材为复合膜结构，其包括钨或钽基材和厚度介于1至50nm之间的石墨烯膜层，其中，石墨烯膜层附着生长在钨或钽基材的背对电子束的表面上。
2.根据权利要求1所述的电子加速器靶结构，其特征在于，石墨烯膜层包括多个逐层沉积在钨或钽基材上的石墨烯单层。
3.根据权利要求1所述的电子加速器靶结构，其特征在于，石墨烯膜层为直接在钨或钽基材上沉积形成的均匀致密石墨烯膜层。
...【技术特征摘要】
1.一种电子加速器靶结构，其特征在于，该电子加速器靶结构包括靶材、窗口和冷却系统，其中，靶材和窗口在加速管的下方安装在电子加速器的筒体上，冷却系统设置于靶材和窗口之间以对靶材进行冷却，靶材为复合膜结构，其包括钨或钽基材和厚度介于1至50nm之间的石墨烯膜层，其中，石墨烯膜层附着生长在钨或钽基材的背对电子束的表面上。
2.根据权利要求1所述的电子加速器靶结构，其特征在于，石墨烯膜层包括多个逐层沉积在钨或钽基材上的石墨烯单层。
3.根据权利要求1所述的电子加速器靶结构，其特征在于，石墨烯膜层为直接在钨或钽基材上沉积形成的均匀致密石墨烯膜层。
4.根据权利要求1所述的电子加速器靶结构，其特征在于，石...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋世鹏，成琼，蔡克尧，孙静，
申请(专利权)人：上海福照人间技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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