一种稀土元素和钛元素共掺杂的氧化镓荧光粉及其制法和应用制造技术

本发明专利技术涉及一种稀土元素和钛元素共掺杂的氧化镓荧光粉及其制法和应用。所述荧光粉的化学式为Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;:xM/yTi；M为掺杂的稀土元素，选自Er、Eu中的一种，x取值范围为0.005～0.1；Ti为掺杂的过渡金属元素，y取值范围为0.005～0.1。当稀土元素为Er时，与Er元素单掺杂的氧化镓荧光粉相比，本发明专利技术所提供的Er元素和Ti元素共掺杂氧化镓荧光粉的光致绿光和红光发光强度分别提高了1900倍和530倍，荧光粉的综合性能得到显著提升。本发明专利技术提供的制法工艺简单，所用原料容易获得，价格便宜，无毒性，具有较大的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于发光材料，具体涉及一种稀土元素和钛元素共掺杂的氧化镓荧光粉及其制法和应用。

技术介绍

1、β-ga2o3是一种直接带隙超宽禁带氧化物半导体，它具有六种晶相，其中最稳定的相是β相、其次是ε和α相，β相氧化镓具有带隙宽(4.9ev)、击穿电场高(8mv/cm)、室温电子迁移率(300cm2/vs)较高、耐辐射、热稳定性和化学稳定性好以及巴利加优值高(分别是sic、gan的10倍、4倍以上)等优点，具有取代第三代半导体碳化硅的潜力，其优异的物理、化学以及电学和光学性能可以满足电力电子器件低能耗、高功率、集成化以及光电一体化等的发展新需求，已成为当前国际半导体领域研究的热点和竞争的焦点。然而迄今为止，国内外的研究主要聚焦于大尺寸高质量氧化镓单晶的生长以及高质量氧化镓薄膜的制备及其在功率半导体器件和日盲紫外探测器中的应用。对稀土元素掺杂的氧化镓陶瓷、薄膜以及粉体的光致发光和电致发光性能、发光机理以及发光性能提升方法方面的研究很少。

2、稀土元素掺杂氧化镓在温度传感器、薄膜电致发光显示器件等领域的潜在应用引起了人们的关注，guo等人采用脉冲激本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种稀土元素和钛元素共掺杂的氧化镓荧光粉，其特征在于，其化学式为Ga2O3:xM/yTi；其中，Ga2O3为基体；M为掺杂的稀土元素，选自Er、Eu中的一种，M的物质的量为x，取值范围为0.005～0.1；Ti为掺杂的过渡金属元素，Ti元素的物质的量为y，取值范围为0～0.1。

2.根据权利要求1所述的稀土元素和钛元素共掺杂的氧化镓荧光粉，其特征在于，所述的y取值范围为0.04～0.1。

3.根据权利要求1所述的稀土元素和钛元素共掺杂的氧化镓荧光粉，其特征在于，当稀土元素为Er时，x的取值范围为0.015～0.025，y的取值范围为0.05～0.07；当稀土元...

【技术特征摘要】

1.一种稀土元素和钛元素共掺杂的氧化镓荧光粉，其特征在于，其化学式为ga2o3:xm/yti；其中，ga2o3为基体；m为掺杂的稀土元素，选自er、eu中的一种，m的物质的量为x，取值范围为0.005～0.1；ti为掺杂的过渡金属元素，ti元素的物质的量为y，取值范围为0～0.1。

2.根据权利要求1所述的稀土元素和钛元素共掺杂的氧化镓荧光粉，其特征在于，所述的y取值范围为0.04～0.1。

3.根据权利要求1所述的稀土元素和钛元素共掺杂的氧化镓荧光粉，其特征在于，当稀土元素为er时，x的取值范围为0.015～0.025，y的取值范围为0.05～0.07；当稀土元素为eu时，x的取值范围为0.015～0.055，y的取值范围为0.05～0.08。

4.根据权利要求3所述的稀土元素和钛元素共掺杂的氧化镓荧光粉，其特征在于，当稀土元素为er时，y取值为0.055；当稀土元素为eu时，y取值为0.07。

5.根据权利要求1～4任一项所述的稀土元素和钛元素共掺杂的氧化镓荧光粉，其特征在于，当稀土元素为er时，所述稀土元素和钛元素共掺杂的氧化镓荧光粉在激光波长为980nm、激光功率为10...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑仁奎，卢宝琳，
申请(专利权)人：广州大学，
类型：发明
国别省市：