一种LDO电路、芯片和电子设备制造技术

技术编号:44698979 阅读:27 留言:0更新日期:2025-03-19 20:49
本发明专利技术实施例提供一种LDO电路、芯片和电子设备,属于模拟芯片技术领域。所述LDO电路包括:输入电路,接入参考电流,并至少通过主晶体管来对应输出参考电压;放大电路,其接入参考电压并进行放大;以及反馈电路,一端经晶体管对管连接所述放大电路的输出端,另一端向所述放大电路反馈电压并作为所述LDO电路的输出端。其中,所述主晶体管和所述晶体管对管均工作在亚阈值区,且所述放大电路的放大倍数被配置为使得流过所述主晶体管和所述晶体管对管的电流相等。本发明专利技术实施例的LDO电路利用处于亚阈值区的晶体管,并配合放大电路的放大倍数,产生了可供LDO电路确定输出的电压,不需要基准电路,电路简单且功耗低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及模拟芯片,具体地涉及一种ldo电路、芯片和电子设备。


技术介绍

1、ldo(low drop-out regulator,低压差线性稳定器)在电路中能提供干净、稳定的电源以确保电路中的元件和器件能够正常工作,并减少电源噪声和波动对电路性能的影响。如图1所示,传统的ldo电路由基准电路、误差放大器、功率管、反馈网络等组成,其工作过程为:电路通过检测来自电阻反馈网络的输出电压,并与带隙基准提供的基准电压进行比对,再由误差放大器将比对后的压差信号放大,传输到功率管进行线性调整,使得输出电压与输入的参考电压维持相应的比值不变,产生稳定的电压输出。

2、但是,本申请专利技术人在实现本专利技术的过程中发现,传统的ldo电路需要基准电路、误差放大器等复杂度和功耗较高的模块,且当应用在具体系统中,需要保证mos管均工作在饱和区,这导致电路产生的功耗进一步增大,使得系统实现成本较高。

3、如此,本申请旨在提出一种针对ldo电路的新设计。


技术实现思路

1、本专利技术实施例的目的是提供一种l本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低压差线性稳定器LDO电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的LDO电路,其特征在于,所述输入电路(100)包括:

3.根据权利要求1所述的LDO电路,其特征在于,所述放大电路(200)包括:

4.根据权利要求3所述的LDO电路,其特征在于,所述放大电路(200)还包括:

5.根据权利要求1所述的LDO电路,其特征在于,所述反馈电路(300)包括:

6.根据权利要求5所述的LDO电路,其特征在于,所述反馈电路(300)还包括:

7.根据权利要求5所述的LDO电路,其特征在于,所述反馈电路(300)还...

【技术特征摘要】

1.一种低压差线性稳定器ldo电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的ldo电路,其特征在于,所述输入电路(100)包括:

3.根据权利要求1所述的ldo电路,其特征在于,所述放大电路(200)包括:

4.根据权利要求3所述的ldo电路,其特征在于,所述放大电路(200)还包括:

5.根据权利要求1所述的ldo电路,其特征在于,所述反馈电路(300)包括:

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:潘杰原义栋胡毅沈红伟温立国
申请(专利权)人:北京智芯微电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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