【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种mocvd反应腔室的处理方法。
技术介绍
1、采用mocvd（metal-organic chemical vapor deposition，有机金属化学气相沉积法）设备生长gan基led外延层时，随着生长周期的提升，mocvd反应腔室内mg含量会逐渐增加，从而影响所生长的led外延层的晶格质量，进而影响led芯片的电学性能；并且随着生长周期的提升，mocvd反应腔室的杂质会逐渐增加，导致后续生长的led外延层的表面存在较多的颗粒物，进而影响led外延层的表面良率。
2、为解决上述技术问题，目前通常使用开腔维护保养的方式对mocvd反应腔室进行处理。例如开腔清理mocvd反应腔室内部的杂质，以及通过破真空暴露在大气环境中的方式让氧气消耗吸附在mocvd反应腔室内壁、mocvd反应腔室上盖气路管道和内部喷淋器等的金属有机物。
3、但是，对mocvd反应腔室进行开腔维护保养时，破真空暴露在大气环境中会破坏mocvd反应腔室生长led外延层的生长环境，导致产出led外延层的光电性能异常。此时就需要花费较长的时间，约15小时-20小时来恢复mocvd反应腔室生长led外延层的生长环境，这样的操作增加了mocvd反应腔室的保养工作量以及会严重影响生产产能。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请提供了一种mocvd反应腔室的处理方法，降低mocvd反应腔室的保养工作量，提高生产产能。具体方案如下：
2、本申请第一方面提供一种m
3、对所述mocvd反应腔室进行气流式吸附处理；
4、对所述mocvd反应腔室进行纯氧化处理；
5、对所述mocvd反应腔室进行气体置换处理；
6、对所述mocvd反应腔室进行气氛恢复处理。
7、优选的，在上述mocvd反应腔室的处理方法中，所述对所述mocvd反应腔室进行气流式吸附处理，包括：
8、关闭所述mocvd反应腔室的边界保护气流，增大所述mocvd反应腔室的边缘气流的流量和主气流的流量，提高所述mocvd反应腔室内载具的转速，以及降低所述mocvd反应腔室的压力，对所述mocvd反应腔室进行气流式吸附处理。
9、优选的，在上述mocvd反应腔室的处理方法中，对所述mocvd反应腔室进行气流式吸附处理时，
10、所述边缘气流的流量范围为80slm-100slm；
11、所述主气流的流量范围为500slm-800slm；
12、所述载具的转速范围为1000r/min-1200r/min；
13、所述mocvd反应腔室的压力范围为20torr-200torr。
14、优选的，在上述mocvd反应腔室的处理方法中，所述对所述mocvd反应腔室进行纯氧化处理，包括：
15、采用纯氧化气体对所述mocvd反应腔室进行纯氧化处理，所述纯氧化气体包括氧气、臭氧、一氧化氮、二氧化氮中的一种或多种混合气体。
16、优选的，在上述mocvd反应腔室的处理方法中，对所述mocvd反应腔室进行纯氧化处理时，
17、所述纯氧化气体的流量范围为200slm-500slm；
18、对所述mocvd反应腔室进行纯氧化处理的时间范围为0.5小时-2小时。
19、优选的，在上述mocvd反应腔室的处理方法中，所述纯氧化气体的纯度大于99.99%。
20、优选的，在上述mocvd反应腔室的处理方法中，所述对所述mocvd反应腔室进行气体置换处理，包括：
21、采用循环的抽冲压方式，将所述mocvd反应腔室中残留的纯氧化气体置换为目标气体，所述目标气体包括h2、n2中的一种或二者的混合气体。
22、优选的，在上述mocvd反应腔室的处理方法中，采用循环的抽冲压方式对所述mocvd反应腔室进行气体置换处理时，
23、抽压压力范围为20torr-50torr；
24、冲压压力范围为200torr-500torr；
25、循环次数范围为5次-30次。
26、优选的，在上述mocvd反应腔室的处理方法中，所述对所述mocvd反应腔室进行气氛恢复处理，包括：
27、将金属有机物通入所述mocvd反应腔室中进行气氛恢复处理。
28、优选的，在上述mocvd反应腔室的处理方法中，所述将金属有机物通入所述mocvd反应腔室中进行气氛恢复处理，包括：
29、将al对应的金属有机物、mg对应的金属有机物、ga对应的金属有机物以及in对应的金属有机物依次通入所述mocvd反应腔室中进行气氛恢复处理。
30、借由上述技术方案，本申请提供了一种mocvd反应腔室的处理方法，对mocvd反应腔室依次进行气流式吸附处理、纯氧化处理、气体置换处理以及气氛恢复处理，这些处理过程都是在未开启mocvd反应腔室的状态下进行的。与现有开腔维护保养的方式相比，不会使mocvd反应腔室暴露在大气环境中，进而可避免大气环境中水氧等杂质污染mocvd反应腔室的情况；并且由于气流式吸附处理、纯氧化处理以及气体置换处理过程中没有引入新的杂质，因此可以大大缩减气氛恢复处理的时间。总的来说，本申请技术方案基于未开腔的方式对mocvd反应腔室进行处理，可以降低mocvd反应腔室的保养工作量，提高生产产能。
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1.一种MOCVD反应腔室的处理方法，其特征在于，所述MOCVD反应腔室的处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的MOCVD反应腔室的处理方法，其特征在于，所述对所述MOCVD反应腔室进行气流式吸附处理，包括：
3.根据权利要求2所述的MOCVD反应腔室的处理方法，其特征在于，对所述MOCVD反应腔室进行气流式吸附处理时，
4.根据权利要求1所述的MOCVD反应腔室的处理方法，其特征在于，所述对所述MOCVD反应腔室进行纯氧化处理，包括：
5.根据权利要求4所述的MOCVD反应腔室的处理方法，其特征在于，对所述MOCVD反应腔室进行纯氧化处理时，
6.根据权利要求4所述的MOCVD反应腔室的处理方法，其特征在于，所述纯氧化气体的纯度大于99.99%。
7.根据权利要求4所述的MOCVD反应腔室的处理方法，其特征在于，所述对所述MOCVD反应腔室进行气体置换处理，包括：
8.根据权利要求7所述的MOCVD反应腔室的处理方法，其特征在于，采用循环的抽冲压方式对所述MOCVD反应腔室进行气体置换处理时，
9.根据权利要求1所述的MOCVD反应腔室的处理方法，其特征在于，所述对所述MOCVD反应腔室进行气氛恢复处理，包括：
10.根据权利要求9所述的MOCVD反应腔室的处理方法，其特征在于，所述将金属有机物通入所述MOCVD反应腔室中进行气氛恢复处理，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种mocvd反应腔室的处理方法，其特征在于，所述mocvd反应腔室的处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的mocvd反应腔室的处理方法，其特征在于，所述对所述mocvd反应腔室进行气流式吸附处理，包括：
3.根据权利要求2所述的mocvd反应腔室的处理方法，其特征在于，对所述mocvd反应腔室进行气流式吸附处理时，
4.根据权利要求1所述的mocvd反应腔室的处理方法，其特征在于，所述对所述mocvd反应腔室进行纯氧化处理，包括：
5.根据权利要求4所述的mocvd反应腔室的处理方法，其特征在于，对所述mocvd反应腔室进行纯氧化处理时，
6.根据权利要求4所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗文博，翁聪，吴洪浩，肖垚孝，刘兆，
申请(专利权)人：江西乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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