【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，尤其涉及一种抛光组合物及其制备方法和应用。
技术介绍
1、基于碳化硅材料制造的半导体器件具有高功率、耐高压、耐高温、高频率、低能耗等优点，正逐渐成为高功率、高频领域功率半导体的主流。在第三代半导体中，碳化硅除了可以作为功率器件的衬底和同质外延层外，还可以作为氮化镓射频器件的衬底。碳化硅衬底晶片是第三代半导体产业的基础和关键材料。碳化硅产业链分为衬底、外延、器件和应用四部分，目前碳化硅衬底在整个环节中占据了将近一半的成本。碳化硅衬底成本高的主要原因有长晶条件控制要求高，长晶速度慢，晶型良率低，加工难度大，加工成品率低。目前，碳化硅的长晶成品率已经逐渐提高到80％以上，而加工的综合成品率仍在80％附近停滞不前。加工存在的问题有：抛光时间长，效率低；抛光过程中易出现划伤和粗糙度不稳定，良率低；抛光液循环使用寿命短，使用成本高。影响碳化硅抛光效率和质量的关键因素有抛光设备、抛光工艺、抛光垫和抛光液等，其中抛光液作为关键耗材，有着决定性的作用，然而现有碳化硅化学机械抛光液的稳定性尚未有很好的解决。
2、目前，在碳化硅...
【技术保护点】
1.一种抛光组合物，其特征在于，包括研磨颗粒、氧化剂、有机分散剂、无机分散剂、pH缓冲剂、pH调节剂和水；其中，所述氧化剂包括高锰酸盐，所述有机分散剂在所述研磨颗粒的表面形成有机包覆层，所述无机分散剂在所述有机包覆层的表面形成无机包覆层。
2.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述研磨颗粒包括α相氧化铝颗粒；
3.如权利要求1或2所述的抛光组合物，其特征在于，所述研磨颗粒还包括二氧化硅颗粒、氧化铈颗粒、二氧化钛颗粒、氧化锆颗粒、氧化铁颗粒、γ-氧化铝、δ-氧化铝、θ-氧化铝、η-氧化铝、α化率低于90％的氧化铝颗粒中的至少一种；
...【技术特征摘要】
1.一种抛光组合物，其特征在于，包括研磨颗粒、氧化剂、有机分散剂、无机分散剂、ph缓冲剂、ph调节剂和水；其中，所述氧化剂包括高锰酸盐，所述有机分散剂在所述研磨颗粒的表面形成有机包覆层，所述无机分散剂在所述有机包覆层的表面形成无机包覆层。
2.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述研磨颗粒包括α相氧化铝颗粒；
3.如权利要求1或2所述的抛光组合物，其特征在于，所述研磨颗粒还包括二氧化硅颗粒、氧化铈颗粒、二氧化钛颗粒、氧化锆颗粒、氧化铁颗粒、γ-氧化铝、δ-氧化铝、θ-氧化铝、η-氧化铝、α化率低于90％的氧化铝颗粒中的至少一种；
4.如权利要求3所述的抛光组合物，其特征在于，所述丙烯酸类单体包括丙烯酸、甲基丙烯酸、2-乙基丙烯酸、2-丙基丙烯酸、衣康酸、丙烯酸酐、甲基丙烯酸酐中的至少一种；
5.如权利要求1、2或4任一项所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物中，所述无机分散剂至少包括如下(1)～(3)中的一项特征：
6.如权利要求5所述的抛光组合物，其特征在于，所述ph调节剂包括氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铷、正磷酸盐、磷酸氢盐、磷酸二氢盐、焦磷酸盐、三聚磷酸盐、四聚磷酸盐、四偏磷酸...
【专利技术属性】
技术研发人员：莫志源，龙相成，郭晓军，张益良，
申请(专利权)人：深圳市鑫鸿达清洗技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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