【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电镀设备，更具体地，涉及一种用于电镀设备的膜框架。
技术介绍
1、这里提供的背景描述是为了概括地呈现本公开的上下文。就其在本背景部分中描述的范围而言的当前指明的专利技术人的工作，以及在提交申请时可能不适合作为现有技术的各描述方面，均未明示或暗示地被承认为针对本公开的现有技术。
2、电镀可用于在处理半导体和/或包装和多芯片互连的期间形成载流线。应用的示例包括晶片级处理(wlp)和硅通孔(tsv)。
3、在延长高电流电镀期间，电镀化学导电率变化。因此，镀层厚度可能会从中心到边缘变化。换言之，衬底中心处的镀层可比衬底边缘处的镀层厚。为了减少化学导电率变化的影响，阳极室中的阳极电解液定期进行化学更新，这会增加工艺成本。
技术实现思路
1、提供了一种处理衬底的单元。该单元包括至少一个室壁、膜框架和膜。至少一个室壁布置成在衬底的保持器下方形成腔体。膜框架设置在至少一个室壁上并横跨腔体。膜由膜框架支撑并将第一电解质与第二电解质隔开。膜包括从腔体的中心以相对于参考平面的角...
【技术保护点】
1.一种处理衬底的电镀系统，所述电镀系统包括：
2.根据权利要求1所述的电镀系统，其进一步包括配置为支撑所述膜的膜框架。
3.根据权利要求2所述的电镀系统，其进一步包括配置为支撑所述膜框架的至少一个室壁。
4.根据权利要求3所述的电镀系统，其中：
5.根据权利要求2所述的电镀系统，其中：
6.根据权利要求2所述的电镀系统，其中所述膜框架包括用于从所述腔体内释放气体的通风口。
7.根据权利要求1所述的电镀系统，其中所述膜将第一电解质与第二电解质隔开。
8.根据权利要求1所述的电镀系统，其...
【技术特征摘要】
1.一种处理衬底的电镀系统，所述电镀系统包括：
2.根据权利要求1所述的电镀系统，其进一步包括配置为支撑所述膜的膜框架。
3.根据权利要求2所述的电镀系统，其进一步包括配置为支撑所述膜框架的至少一个室壁。
4.根据权利要求3所述的电镀系统，其中：
5.根据权利要求2所述的电镀系统，其中：
6.根据权利要求2所述的电镀系统，其中所述膜框架包括用于从所述腔体内释放气体的通风口。
7.根据权利要求1所述的电镀系统，其中所述膜将第一电解质与第二电解质隔开。
8.根据权利要求1所述的电镀系统，其进一步包括设置在所述膜上方的高电阻虚拟阳极板，其中所述参考平面平行于所述高电阻虚拟阳极板的表面延伸。
9.根据权利要求8所述的电镀系统，其中所述高电阻虚拟阳极板的所述表面为所述高电阻虚拟阳极板的顶表面或底表面。
10.根据权利要求1所述的电镀系统，其中所述参考平面在水平方向上延伸。
11.根据权利要求1所述的电镀系统，其中当由所述电镀系统处理所述衬底时，所述参考平面平行于所述衬底的表面延伸。
【专利技术属性】
技术研发人员：弗雷德里克·迪恩·威尔莫特，罗伯特·拉什，尼马尔·尚卡尔·西格玛尼，加布里埃尔·格拉哈姆，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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