真空灭弧室和真空断路器制造技术

本申请涉及一种真空灭弧室和真空断路器。本申请所述的真空灭弧室，包括壳体、静侧导电机构和动侧导电机构，壳体设有第一腔室。静侧导电机构包括静端导电杆和静端触头，静端触头设置于静端导电杆的端部，且静端触头设置于第一腔室。动侧导电机构包括活动导电组件、固定导电组件和导电连接件，固定导电组件安装于壳体的第一腔室内，活动导电组件包括动端导电杆和动端触头，动端触头设置于动端导电杆的端部，动端导电杆可活动地贯穿壳体设置，且动端触头相对静端触头设置于第一腔室，动端触头能够与静端触头连接或断开，活动导电组件和固定导电组件通过导电连接件电性连接。本申请所述的真空灭弧室和真空断路器具有开断性能好、损坏率低的优点。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电气设备，特别是涉及一种真空灭弧室和真空断路器。

技术介绍

1、随着真空断路器在电力系统中的快速发展，对于真空断路器的性能要求越来越高。真空断路器中的电流流经真空灭弧室，真空灭弧室的静侧导电机构直接与静支架相连，动侧导电机构则通过导电夹、软连接与动支架相连，真空灭弧室的内部为真空环境，通过控制触头结构的状态来开启或关闭电路。

2、分闸速度和合闸弹跳是评估其是否具备优良开断性能的重要指标。真空灭弧室是单一触头结构，为了提高导电杆的导流性能，往往需要将导电杆的截面积设置得更大，相应地导电杆的质量也更大，这给分闸运动速度和触头的合闸弹跳问题的解决带来了更大的挑战。导电杆的质量过大，触头分闸运动速度将难以提升，同时触头合闸弹跳对机构的冲击力将更大，对触头的机械损害也更大，具有开断性能差、损坏率高的缺陷。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对真空灭弧室存在开断性能差、损坏率高的问题，提供一种真空灭弧室和真空断路器。

2、第一方面，提供一种真空灭弧室和真空断路器，包括：

3、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种真空灭弧室，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的真空灭弧室，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的真空灭弧室，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的真空灭弧室，其特征在于：

5.根据权利要求4所述的真空灭弧室，其特征在于：

6.根据权利要求4所述的真空灭弧室，其特征在于：

7.根据权利要求1所述的真空灭弧室，其特征在于：

8.根据权利要求1所述的真空灭弧室，其特征在于：

9.根据权利要求1所述的真空灭弧室，其特征在于：

10.一种真空断路器，其特征在于：

【技术特征摘要】

1.一种真空灭弧室，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的真空灭弧室，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的真空灭弧室，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的真空灭弧室，其特征在于：

5.根据权利要求4所述的真空灭弧室，其特征在于：

【专利技术属性】
技术研发人员：许学勤，王兴刚，孙鹏，王帅兵，丁健刚，陈佳莉，刘畅，彭在兴，刘早晨，张巍，徐忻，黄克捷，袁耀，尚海晴，
申请(专利权)人：云南电网有限责任公司，
类型：发明
国别省市：