一种具有超长发射波长近红外硫化物荧光材料及制备方法技术

本发明专利技术适用于荧光材料技术领域，提供了一种具有超长发射波长近红外硫化物荧光材料及制备方法，所述荧光材料的化学通式为ZnGa<subgt;2‑</subgt;<subgt;2x</subgt;Cr<subgt;2x</subgt;S<subgt;4</subgt;，其中0.02≤x≤0.20；制备方法包括以下步骤：按照各元素摩尔比Zn:Ga:Cr=1:2‑2x:2x称取原料，x分别为0.02≤x≤0.20；将称好的原料加入分散剂充分研磨，研磨至得到均匀的白色粉末，将研磨好的白色粉末在650‑750℃下预烧2‑3h，然后通入硫化气体，再在850‑950℃硫化环境下烧制2‑4h，随后缓慢降至室温直至冷却。本发明专利技术采用的原料资源储量丰富，方法简单、易于操作、成本低，物化稳定性良好，荧光寿命理想，绿色无污染，具有很强的适用性，并且发射带宽，波长大，广泛应用于近红外光谱技术领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于荧光材料，尤其涉及一种具有超长发射波长近红外硫化物荧光材料及制备方法。

技术介绍

1、近红外光具有能量低、穿透能力强等优点，使得近红外光谱技术集检测速度快、无损、实时等特点于一身，受到了越来越多的关注，在检测分析、生物成像、夜视照明、现代农业、机器视觉等领域具有巨大的应用前景。市场上常用的近红外光源主要包括白炽灯、卤素灯、荧光灯、短波红外激光器和红外发光二极管等，但是它们都存在固有缺陷，其中，白炽灯和卤素灯体积大、能耗高、效率低、使用寿命短；荧光灯效率低、含有重金属元素、易闪烁；短波红外激光器发散角小、功耗高、成本相对较高；红外发光二极管发射带较窄、热稳定性差、生产设备成本高，不能广泛应用于近红外光谱

2、然而，现有高效近红外发射体系的发射主要集中在小于1000nm波段，仍缺乏高效的长波发射体系；同时食品组分检测、工业或科研用光谱分析系统都需要谱带尽可能宽的连续近红外光源，但现有的近红外荧光粉的发射谱带红移或者向长波展宽时，往往伴随着发光效率的急剧衰减，极大的影响了上述研究的开展。

3、与近红外一区(nir-本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有超长发射波长近红外硫化物荧光材料，其特征在于，所述荧光材料的化学通式为ZnGa2-2xCr2xS4，其中0.02≤x≤0.20。

2.一种如权利要求1所述的具有超长发射波长近红外硫化物荧光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的具有超长发射波长近红外硫化物荧光材料的制备方法，其特征在于，所述含Zn元素的化合物为ZnO、Zn(OH)2、ZnCl2、ZnS中的任一种。

4.根据权利要求2所述的具有超长发射波长近红外硫化物荧光材料的制备方法，其特征在于，所述含Ga元素的化合物为Ga2O3、Ga(OH)3、GaCl3、G...

【技术特征摘要】

1.一种具有超长发射波长近红外硫化物荧光材料，其特征在于，所述荧光材料的化学通式为znga2-2xcr2xs4，其中0.02≤x≤0.20。

2.一种如权利要求1所述的具有超长发射波长近红外硫化物荧光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的具有超长发射波长近红外硫化物荧光材料的制备方法，其特征在于，所述含zn元素的化合物为zno、zn(oh)2、zncl2、zns中的任一种。

4.根据权利要求2所述的具有超长发射波长近红外硫化物荧光材料的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王闯，刘小旖，刘皓，朱革，辛双宇，杨硕，钟敏，董玉娟，董恩来，
申请(专利权)人：渤海大学，
类型：发明
国别省市：