一种基于粗糙不平整基底的物质沉积方法技术

技术编号:44607415 阅读:21 留言:0更新日期:2025-03-14 13:00
本公开提出一种基于粗糙不平整基底的物质沉积方法,包括:获取基底的平整度;在基底上涂布溶液,并根据基底的平整度控制涂布位置,以使基底上形成处于第一厚度范围的溶液湿膜;获取湿膜不同位置的厚度;对湿膜吹气,并根据湿膜对应位置的厚度控制吹气的位置、角度和流速,以使湿膜形成处于第二厚度范围的干湿膜;对干湿膜进行结晶处理,以使干湿膜形成处于第三厚度范围的干膜。在本公开的一种基于粗糙不平整基底的物质沉积方法中,利用涂布工艺的闭环控制以及吹气工艺的闭环控制,实现了溶液的均匀沉积,从而使得结晶后的干膜能够形成厚度均一且材料基本元素分布均匀的薄膜,进而有效保证了光学吸收和器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及溶液沉积,尤其涉及一种基于粗糙不平整基底的物质沉积方法


技术介绍

1、钙钛矿前驱体的制备是钙钛矿太阳能电池制造过程中的关键步骤之一。但由于金刚线切割的精度问题,硅片底电池不是绝对平整,在210mm的范围内,存在10um以上的不平整度,并且,由于动作参数恒定,通过狭缝涂布沉积的钙钛矿前驱体,也无法再形成厚度一致的湿膜。

2、在钙钛矿/晶硅叠层电池的制备过程中,沉积的钙钛矿层在500nm-10000nm范围,在晶硅存在10um以上的不平整度的背景下,使得结晶后的钙钛矿层无法形成均一的薄膜,严重影响了光学吸收和器件性能。


技术实现思路

1、本公开旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

2、为此,本公开的目的在于提供一种基于粗糙不平整基底的物质沉积方法。

3、为达到上述目的,本公开提供一种基于粗糙不平整基底的物质沉积方法,包括:获取所述基底的平整度;在所述基底上涂布所述溶液,并根据所述基底的平整度控制涂布位置,以使所述基底上形成处于第一厚度范围的溶液湿膜;获本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于粗糙不平整基底的物质沉积方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述基于粗糙不平整基底的物质沉积方法,其特征在于,所述获取所述基底的平整度包括:

3.根据权利要求2所述基于粗糙不平整基底的物质沉积方法,其特征在于,所述根据所述基底的平整度控制涂布位置包括:

4.根据权利要求3所述基于粗糙不平整基底的物质沉积方法,其特征在于,所述根据所述间距偏差修正对应位置的溶液涂布点和所述基准面的涂布间距包括:

5.根据权利要求2所述基于粗糙不平整基底的物质沉积方法,其特征在于,所述物质沉积方法还包括:

6.根据权利要求2所述基...

【技术特征摘要】

1.一种基于粗糙不平整基底的物质沉积方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述基于粗糙不平整基底的物质沉积方法,其特征在于,所述获取所述基底的平整度包括:

3.根据权利要求2所述基于粗糙不平整基底的物质沉积方法,其特征在于,所述根据所述基底的平整度控制涂布位置包括:

4.根据权利要求3所述基于粗糙不平整基底的物质沉积方法,其特征在于,所述根据所述间距偏差修正对应位置的溶液涂布点和所述基准面的涂布间距包括:

5.根据权利要求2所述基于粗糙不平整基底的物质沉积方法,其特征在于,所述物质沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐可王彩霞刘伟赵晓霞
申请(专利权)人:国家电投集团科学技术研究院有限公司
类型:发明
国别省市:

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