薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示设备制造技术

提供了薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示设备。用于显示设备的薄膜晶体管可以包括：设置在基板上的有源层；与有源层交叠的栅电极；电连接至有源层的源电极；电连接至有源层的漏电极；以及有源层中的至少一个孔，其中，该至少一个孔与栅电极的边缘至少部分地交叠。此外，有源层中的该至少一个孔可以控制或阻挡掺杂剂在有源层内的扩散。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示设备。

技术介绍

1、晶体管广泛用作电子装置领域中的开关装置或驱动装置。具体地，由于薄膜晶体管可以在玻璃基板或塑料基板上制造，因此薄膜晶体管被广泛用作显示设备例如液晶显示设备或有机发光显示设备的开关装置。

2、基于构成有源层的材料，薄膜晶体管可以划分成使用非晶硅作为有源层的非晶硅薄膜晶体管、使用多晶硅作为有源层的多晶硅薄膜晶体管和使用氧化物半导体作为有源层的氧化物半导体薄膜晶体管。

3、非晶硅薄膜晶体管(a-si tft)具有制造处理时间短和生产成本低的优点，因为非晶硅可以在短时间内沉积以形成有源层，但非晶硅薄膜晶体管(a-si tft)具有在有源矩阵有机发光装置(amoled)中使用受限的缺点，因为迁移率低和电流驱动能力差以及阈值电压的变化。

4、多晶硅薄膜晶体管(poly-si tft)是通过在沉积非晶硅后使非晶硅结晶而制成的。由于在多晶硅薄膜晶体管的制造处理中需要使非晶硅结晶的处理，所以制造成本随着处理数目的增加而增加，并且由于结晶处理是在高的处理温度下执行的，因此难本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜晶体管，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，与连接所述源极区和所述漏极区的最短线平行的方向是第一方向，并且垂直于所述第一方向的方向是第二方向，并且

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，与连接所述源极区和所述漏极区的最短线平行的方向是第一方向，并且垂直于所述第一方向的方向是第二方向，

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，平行于所述第一方向的直线穿过所述第一源极有源孔的至少一部分并且还穿过所述第一漏极有源孔的至少一部分。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，平行于所述第一方向的直线穿过所述第一源极有源...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜晶体管，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，与连接所述源极区和所述漏极区的最短线平行的方向是第一方向，并且垂直于所述第一方向的方向是第二方向，并且

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，与连接所述源极区和所述漏极区的最短线平行的方向是第一方向，并且垂直于所述第一方向的方向是第二方向，

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，平行于所述第一方向的直线穿过所述第一源极有源孔的至少一部分并且还穿过所述第一漏极有源孔的至少一部分。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，平行于所述第一方向的直线穿过所述第一源极有源孔的至少一部分并且不穿过所述第一漏极有源孔。

6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述第一源极有源孔包括彼此间隔开的第一子有源孔和第二子有源孔，并且

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，平行于所述第一方向的直线穿过所述第一源极有源孔的第一子有源孔并且穿过所述第一漏极有源孔的第一子有源孔，并且

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，平行于所述第一方向的直线穿过所述第一源极有源孔的至少一部分并且不穿过所述第一漏极有源孔。

9.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述第一源极有源...

【专利技术属性】
技术研发人员：金在铉，吴载映，李光钦，A·孙，李敏浩，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：