抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物(A)、和溶剂，上述聚合物(A)在侧链具有选自碳‑碳双键、碳‑碳三键、碳‑氮双键、和碳‑氮三键中的一种或二种以上聚合性多重键。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂下层膜、叠层体、半导体元件的制造方法、以及图案形成方法。

技术介绍

1、一直以来在半导体装置的制造中，通过使用了抗蚀剂组合物的光刻而进行了微细加工。上述微细加工是通过在硅晶片等半导体基板上形成光致抗蚀剂组合物的薄膜，在其上经由描绘有器件的图案的掩模图案而照射紫外线等活性光线，进行显影，以所得的光致抗蚀剂图案作为保护膜对基板进行蚀刻处理，从而在基板表面形成与上述光致抗蚀剂图案对应的微细凹凸的加工法。近年来，半导体器件的高集成度化进展，所使用的活性光线也除了以往被使用的i射线(波长365nm)、krf准分子激光(波长248nm)、arf准分子激光(波长193nm)以外，在最尖端的微细加工中还研究了euv光(波长13.5nm)或eb(电子射线)的实用化。与此相伴，由来自半导体基板等的影响引起的、抗蚀剂图案形成不良成为大问题。因此为了解决该问题，广泛研究了在抗蚀剂与半导体基板之间设置抗蚀剂下层膜的方法。

2、在专利文献1中公开了包含具有卤原子的萘环的光刻用下层膜形成用组合物。在专利文献2中公开了卤化防反射膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物(A)、和溶剂，所述聚合物(A)在侧链具有选自碳-碳双键、碳-碳三键、碳-氮双键、和碳-氮三键中的一种或二种以上聚合性多重键。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在所述聚合物(A)中，所述聚合性多重键经由具有环氧基与亲核性官能团反应而获得的结构的连接基而与所述聚合物(A)的主链结合。

3.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述亲核性官能团为选自羧基、羟基、氨基和硫醇基中的一种或二种以上。

4.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在所述聚合物(A)中，所述聚合性多重键经由...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物(a)、和溶剂，所述聚合物(a)在侧链具有选自碳-碳双键、碳-碳三键、碳-氮双键、和碳-氮三键中的一种或二种以上聚合性多重键。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在所述聚合物(a)中，所述聚合性多重键经由具有环氧基与亲核性官能团反应而获得的结构的连接基而与所述聚合物(a)的主链结合。

3.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述亲核性官能团为选自羧基、羟基、氨基和硫醇基中的一种或二种以上。

4.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在所述聚合物(a)中，所述聚合性多重键经由具有异氰酸酯基与亲核性官能团反应而获得的结构的连接基而...

【专利技术属性】
技术研发人员：井形航维，绪方裕斗，广原知忠，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：