【技术实现步骤摘要】
本申请涉及薄膜，尤其涉及一种低介电常数pi/3d cofs复合薄膜的制备方法。
技术介绍
1、近年来，随着微电子工业、5g通信等的高速发展，对电子产品具备高集成、耐高频、高速和高功率特性的要求越来越高，特别是集成电路器件的集成度的不断提高和元件尺寸的不断缩小、布线密度逐渐增加，导致线路中电容、电阻不断增强，电路元件或导线之间的非期望的相互影响明显增加，进而导致信号传输滞后、串扰和功耗增加；研究表明，介质材料的介电常数(ε)与介质损耗(tanδ)对信号的传输速度和传输损耗起主要控制作用，为此，制备高频工况下具有低介电常数、低介电损耗性能的介电材料、以满足高频高速信号传输网络领域对终端电子器件的介电性能要求，已成为该领域的研究热点。
2、随着高频通信时代的到来，集成电路器件集成度不断提高，元器件尺寸不断减小，伴随着的是电容和电阻的增大，这会增大集成电路的rc延迟和信号串扰。已知层间介质材料的介电常数降低能够减小集成电路的rc延迟和信号串扰等情况，因此有必要研发出介电常数＜3的层间介质材料。聚酰亚胺(pi)是一种具有优异热力学性能...
【技术保护点】
1.一种低介电常数PI/3D COFS复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的低介电常数PI/3D COFS复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述3D COFs纳米材料是由共价键连接形成的具有互穿孔通道的多孔有机聚合物晶体材料，所述3D COFs纳米材料连接方式为亚胺键连接或酰亚胺键连接。
3.根据权利要求2所述的低介电常数PI/3D COFS复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述3D COFs纳米材料与所述PI基体树脂的负载量为1：1～4wt％。
4.根据权利要求1所述的低介电常数PI/3D COFS复...
【技术特征摘要】
1.一种低介电常数pi/3d cofs复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的低介电常数pi/3d cofs复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述3d cofs纳米材料是由共价键连接形成的具有互穿孔通道的多孔有机聚合物晶体材料，所述3d cofs纳米材料连接方式为亚胺键连接或酰亚胺键连接。
3.根据权利要求2所述的低介电常数pi/3d cofs复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述3d cofs纳米材料与所述pi基体树脂的负载量为1：1～4wt％。
4.根据权利要求1所述的低介电常数pi/3d cofs复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述二胺单体为4，4’-二氨基二苯醚、3，4’-二氨基二苯醚、对苯二胺、间苯二胺、4，4’-二氨基二苯甲烷、二氨基二苯甲酮、4，4’-二(4-氨基苯氧基)二苯砜、1，3’-双(3-氨基苯氧基)苯、4，4’-二(4-氨基苯氧基)二苯甲酮、二氨基二苯基砜、4，4’-二氨基-二苯氧基-4’，4-二苯基异丙烷中的一种或任意两种的混合物；
<...【专利技术属性】
技术研发人员：李晓丹，冉娅，吴毅，王磊，孟诗云，
申请(专利权)人：重庆工商大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。