【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电路,尤其是涉及一种用于功率器件的串扰抑制驱动电路及双脉冲测试装置。
技术介绍
1、在电力电子领域,桥式电路扮演了重要的角色,采用桥式电路的逆变器,半桥,全桥等拓扑电路在设计生产生活中扮演着至关重要的作用。然而桥式电路会面临桥臂串扰的影响。尤其是当采用高速的开关器件时。
2、桥臂串扰是指在同一桥臂上,一个开关器件的开通和关断会在另一开关器件的栅源极产生正向和负向的尖峰,尤其是在开关瞬态dv/dt较大的时候,这种干扰可能会导致桥臂直通或者烧毁功率器件。
3、其中桥臂串扰的机理为:当桥臂的下开关器件开通时,桥臂的上开关器件两端电压急剧上升,在上开关器件的米勒电容cgd上产生较高的dv/dt,从而使得米勒电容被充电,产生充电电流,该电流一部分给cgs充电,另一部分流经驱动阻抗,从而使得开关器件得栅源极电压被拉高,从而产生正向尖峰,称为正向串扰;此外,当桥臂的下开关器件关断时,桥臂的上开关器件两端电压急剧下降,在上开关器件的米勒电容上产生较高的dv/dt,从而使得米勒电容cgd放电,产生放电电流,该电流
...【技术保护点】
1.一种用于功率器件的串扰抑制驱动电路,连接在功率器件的栅源极之间,其特征在于,所述串扰抑制驱动电路包括负压产生子电路、驱动限流电阻R2和米勒箝位子电路,所述负压产生子电路分别与驱动限流电阻R2和米勒箝位子电路连接,所述驱动限流电阻R2和米勒箝位子电路连接,所述负压产生子电路用于在关断时产生负压,所述驱动限流电阻R2用于限制流过功率器件栅极的电流,以控制其开关速度,所述米勒箝位子电路用于通过负压的驱动实现米勒箝位。
2.根据权利要求1所述的一种用于功率器件的串扰抑制驱动电路,其特征在于,所述负压产生子电路包括电阻R1、电容C1和齐纳二极管Z1,所述电阻R1
...【技术特征摘要】
1.一种用于功率器件的串扰抑制驱动电路,连接在功率器件的栅源极之间,其特征在于,所述串扰抑制驱动电路包括负压产生子电路、驱动限流电阻r2和米勒箝位子电路,所述负压产生子电路分别与驱动限流电阻r2和米勒箝位子电路连接,所述驱动限流电阻r2和米勒箝位子电路连接,所述负压产生子电路用于在关断时产生负压,所述驱动限流电阻r2用于限制流过功率器件栅极的电流,以控制其开关速度,所述米勒箝位子电路用于通过负压的驱动实现米勒箝位。
2.根据权利要求1所述的一种用于功率器件的串扰抑制驱动电路,其特征在于,所述负压产生子电路包括电阻r1、电容c1和齐纳二极管z1,所述电阻r1的一端连接功率器件中的驱动芯片输出侧,另一端连接所述驱动限流电阻r2,所述电容c1与电阻r1并联,所述齐纳二极管z1的阴极分别与电阻r1的另一端和所述驱动限流电阻r2连接,齐纳二极管z1的阳极与功率器件的源极连接。
3.根据权利要求1所述的一种用于功率器件的串扰抑制驱动电路,其特征在于,所述米勒箝位子电路包括nmosfet q1、寄生二极管d1和nmosfet驱动电阻r3,所述nmosfet q1与所述驱动限流电阻r2并联,所述nmosfet q1还与nmosfet驱动电阻r3连接,所述寄生二极管d1与nmosfet q1并联。
4.根据权利要求3所述的一种用于功率器件的串扰抑制驱动电路,其特征在于,所述nmosfet q1包括三个电极,分别为漏极、源极和栅极,所述漏极和源极分别连接在驱动限流电阻r2的两端,所述寄生二极管d1的两端分别连接所述漏极和源极,所述栅极通过所述nmosfet驱动电阻r3与所...
【专利技术属性】
技术研发人员:鲍伟,曾平,李凡,杜炤鑫,周德生,陆健,冯倩,潘爱强,毕闯,王天赐,
申请(专利权)人:国网上海市电力公司,
类型:发明
国别省市:
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