图案形成方法及电子器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种图案形成方法及能够通过包括上述图案形成方法的电子器件的制造方法获得线宽的面内均匀性优异的图案的图案形成方法及包括上述图案形成方法的电子器件的制造方法，所述图案形成方法包括：(1)使用包含通过酸的作用分解而极性增大的树脂(A)及通过光化射线或放射线的照射产生酸的化合物(B)的感光化射线性或感放射线性树脂组合物形成膜的工序；(2)对上述膜进行曝光的工序；及(3)利用含有乙酸丁酯及碳原子数11以上的烃的有机系处理液，对经上述曝光的膜进行显影及淋洗中的至少一个的工序，所述图案形成方法中，上述有机系处理液中的上述碳原子数11以上的烃的含量为1质量％以上且35质量％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种图案形成方法及电子器件的制造方法。更详细而言，本专利技术涉及一种能够适用于超lsi(large scale integration)及高容量微晶片的制造工艺、纳米压印用铸模作成工艺以及高密度信息记录介质的制造工艺等的超微光刻工艺、以及其他感光蚀刻加工工艺等中优选使用的图案形成方法及电子器件的制造方法。

技术介绍

1、以往，在ic(integrated circuit，集成电路)、lsi等半导体器件的制造工艺中，进行基于使用光致抗蚀剂组合物的光刻的微细加工。近年来，随着集成电路的高集成化，要求亚微米区域或四分之一微米区域的超微细图案形成。随之，曝光波长也出现如从g射线到i射线、进而到krf准分子激光的短波长化的倾向，目前，开发了将具有193nm波长的arf准分子激光作为光源的曝光机。并且，作为进一步提高分辨率的技术，一直以来进行了在投影透镜与试样之间填满高折射率的液体(以下，也称为“液浸液”)的所谓液浸法的开发。

2、并且，除了准分子激光以外，目前也正在开发使用电子束(eb：flectron beam)、x射线及极紫外线(euv本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图案形成方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的图案形成方法，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的图案形成方法，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的图案形成方法，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的图案形成方法，其中，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的图案形成方法，其中，

8.根据权利要求7所述的图案形成方法，其中，

9.根据权利要求7或8所述的图案形成方法，其中，

10.根据权利要求1至9中任一...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种图案形成方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的图案形成方法，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的图案形成方法，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的图案形成方法，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的图案形成方法，其中，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的图案形成方法，其中，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤启太，白川三千纮，高桥智美，清水哲也，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：