图像传感器制造技术

一种图像传感器，包括：第一衬底，其包括像素区，像素区中的每一个包括光电转换区；滤色器，其分别设置在像素区上，滤色器设置在第一衬底的第一表面上；以及微透镜，其分别设置在滤色器上。由微透镜限定在第一方向上重复排列的第一周期结构。第一周期结构中的每一个包括微透镜中的第一微透镜和第二微透镜。第一微透镜的尺寸、曲率、材料或形状中的至少一者不同于第二微透镜的尺寸、曲率、材料或形状中的至少一者。第一周期结构的第一排列周期等于或大于像素区的像素间距的两倍。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种图像传感器，更具体地，涉及一种能够提高输出质量的图像传感器及其制造方法。

技术介绍

1、图像传感器可以是用于将光学图像转换成电信号的装置。图像传感器可被分类为电荷耦合器件(ccd)图像传感器和互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器中的任何一种。cis是cmos图像传感器的简称。cis可以包括二维排列的多个像素。每个像素可以包括光电二极管(pd)。光电二极管可以将入射光转换为电信号。

技术实现思路

1、本专利技术构思的实施例可以提供一种能够提高输出质量的图像传感器。

2、在一方面，图像传感器可以包括：第一衬底，其包括像素区，每个像素区包括光电转换区；滤色器，其分别设置在像素区上，滤色器设置在第一衬底的第一表面上；以及微透镜，其分别设置在滤色器上。在第一方向上重复排列的第一周期结构可以由微透镜限定。第一周期结构中的每一个可以包括微透镜中的第一微透镜和第二微透镜。第一微透镜的尺寸、曲率、材料和形状中的至少一者可以不同于第二微透镜的尺寸、曲率、材料和形状中的至少一者。第一周期结构的第一排本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图像传感器，包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第二排列周期实质上等于所述第一排列周期。

4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第二排列周期与所述第一排列周期不同。

5.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第一周期结构和所述第二周期结构构成光栅图案，所述光栅图案被配置为从入射光生成多个衍射光。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，

7.根据权利要求1所述的图像传感器，

8.根据权利要求1所述的图像传感器，p>

9.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种图像传感器，包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第二排列周期实质上等于所述第一排列周期。

4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第二排列周期与所述第一排列周期不同。

5.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第一周期结构和所述第二周期结构构成光栅图案，所述光栅图案被配置为从入射光生成多个衍射光。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，

7.根据权利要求1所述的图像传感器，

8.根据权利要求1所述的图像传感器，

9.根据权利要求1所述的图像传感器，

10.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

11.一种图像传感器，包括：

12.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴相寅，金范锡，李允基，朴天昊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：