正型抗蚀剂材料及图案形成方法技术

本发明专利技术涉及正型抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明专利技术的课题为提供具有超过已知的正型抗蚀剂材料的感度及分辨率，边缘粗糙度、尺寸偏差小，且曝光后的图案形状良好的正型抗蚀剂材料，以及提供图案形成方法。该课题的解决手段为一种正型抗蚀剂材料，含有：含下式(a)表示的重复单元的基础聚合物。式中，R为下式(a1)表示的基团。式中，R1为也可含有氧原子的直链状或分支状的碳数1～6的脂肪族烃基，R2为也可含有氧原子的直链状或分支状的碳数2～6的不饱和脂肪族烃基。又，R1与R2也可互相键结并和它们所键结的碳原子一起形成碳数5～12的环。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于正型抗蚀剂材料及图案形成方法。

技术介绍

1、伴随lsi的高集成化与高速化，图案规则的微细化也在急速进展。其原因是由于5g的高速通信及人工智能(artificial intelligence，ai)的普及的进行，用以处理这样的高性能器件已成为必要所致。就最先进的微细化技术而言，波长13.5nm的极紫外线(euv)光刻所为的5nm节点的器件的量产已在进行。此外，在下一代的3nm节点，下下一代的2nm节点器件也已进行使用了euv光刻的探讨。

2、伴随微细化的进行，酸的扩散所致的图像的模糊亦成为问题。为了确保在尺寸大小45nm以下的微细图案的分辨率，有人提出不仅要改善以往主张的溶解对比度，酸扩散的控制亦为重要(非专利文献1)。但是，化学增幅抗蚀剂材料利用酸的扩散来提升感度及对比度，若将曝光后烘烤(peb)温度降低、或将时间缩短来将酸扩散抑制到极限的话，感度及对比度会显著降低。

3、感度、分辨率及边缘粗糙度(ler、lwr)展现出三角权衡关系。为了使分辨率改善，抑制酸扩散为必要的，但若缩短酸扩散距离的话，感度会降低。

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种正型抗蚀剂材料，含有：含下式(a)表示的重复单元的基础聚合物；

2.根据权利要求1所述的正型抗蚀剂材料，其中，该基础聚合物更含有选自羧基的氢原子被式(a1)表示的基团以外的酸不稳定基团取代的重复单元及酚性羟基的氢原子被酸不稳定基团取代的重复单元中的至少1种。

3.根据权利要求2所述的正型抗蚀剂材料，其中，羧基的氢原子被式(a1)表示的基团以外的酸不稳定基团取代的重复单元为下式(b1)表示者，酚性羟基的氢原子被酸不稳定基团取代的重复单元为下式(b2)表示者；

4.根据权利要求1至3中任一项所述的正型抗蚀剂材料，其中，该基础聚合物更含有含选自羟基、...

【技术特征摘要】

1.一种正型抗蚀剂材料，含有：含下式(a)表示的重复单元的基础聚合物；

2.根据权利要求1所述的正型抗蚀剂材料，其中，该基础聚合物更含有选自羧基的氢原子被式(a1)表示的基团以外的酸不稳定基团取代的重复单元及酚性羟基的氢原子被酸不稳定基团取代的重复单元中的至少1种。

3.根据权利要求2所述的正型抗蚀剂材料，其中，羧基的氢原子被式(a1)表示的基团以外的酸不稳定基团取代的重复单元为下式(b1)表示者，酚性羟基的氢原子被酸不稳定基团取代的重复单元为下式(b2)表示者；

4.根据权利要求1至3中任一项所述的正型抗蚀剂材料，其中，该基础聚合物更含有含选自羟基、羧基、内酯环、碳酸酯键、硫代碳酸酯键、羰基、环状缩醛基、醚键、酯键、磺酸酯键、氰基、酰胺键、-o-c(＝o)-s-及-o...

【专利技术属性】
技术研发人员：畠山润，福岛将大，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：