单光子雪崩二极管、光电探测器及检测装置制造方法及图纸

本公开的一些实施例公开了一种单光子雪崩二极管、光电探测器及检测装置，涉及半导体器件技术领域，旨在解决单光子雪崩二极管探测效率低的问题。单光子雪崩二极管包括外延层和多个陷光结构。外延层设有入光面和二极管掺杂区，陷光结构设于外延层内靠近入光面的一侧，陷光结构设有相对的第一侧壁和第二侧壁。多个陷光结构包括至少一个中间陷光结构和至少一个边缘陷光结构，二极管掺杂区在入光面的正投影的中心，被中间陷光结构覆盖，或位于相邻的中间陷光结构之间。中间陷光结构的第一夹角与第二夹角相等，边缘陷光结构的第一夹角与第二夹角不相等，第一夹角为第一侧壁与入光面形成的夹角，第二夹角为第二侧壁与入光面形成的夹角。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及半导体器件，尤其涉及半导体器件中的光电探测器件，具体为一种单光子雪崩二极管、光电探测器及检测装置。

技术介绍

1、单光子雪崩二极管(spad，single photon avalanche diode)是一种具有单光子探测能力的光电二极管。在spad中设有pn结，pn结设有倍增区。对spad施加超过击穿电压的反向偏压，入射光进入spad后被吸收转换成电子空穴对，电子空穴对在反向偏压下被加速，并在倍增区触发更多电子空穴对，形成雪崩效应，产生可探测的雪崩电流，以此来进行单个光子的探测。

2、相关技术中，会在spad内设置一些陷光结构以提高spad的探测效率。然而，由于陷光结构全部为对称式结构，入射光在陷光结构的作用下均匀地在spad内散射，进入倍增区的光线较少，spad的探测效率仍然较低。

技术实现思路

1、本公开的实施例的目的在于提供一种单光子雪崩二极管，用于解决单光子雪崩二极管探测效率低的问题。

2、为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：</p>

3、第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，

7.根据权利要求2或6所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，

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【技术特征摘要】

1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，

7.根据权利要求2或6所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：江丙炎，
申请(专利权)人：杭州海康威视数字技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：