【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及温度传感器。本公开还涉及温度传感器的制作方法。
技术介绍
1、温度的超微级精确控制可能已成为许多科学和工程活动中的新兴课题，特别是对于极紫外(euv)光刻、生化过程、微/纳电子学和微流体学等先进技术而言。在对温度精度要求较高的应用中，以euv光刻为例，微小的温度变化都可能对图案化精度产生很大影响。由于euv光往往会被大多数材料强烈吸收，因此投影组件(例如掩膜、反射镜和电机)的发热是不可避免的。随着半导体行业对更高分辨率的需求，超精确的热控制可能变得越来越重要。另一方面，生物医药等许多领域可能需要超高空间分辨率，其中实时微尺度温度监测为癌细胞筛查和恶性肿瘤的热治疗提供了宝贵的诊断信息。在微/纳电子领域，往往需要横向分辨率低于一微米、精度为毫开尔文量级的温度监控来搜索运行过程中的热点。然而，由于灵敏度低且复杂电路所需的面积大(见图1a)，目前使用的硅传感器很难达到1k以上的精度和200um2以下的占用空间。
2、在各种温度传感器中，负温度系数(ntcr)热敏电阻可能具有指数相关性的理想灵敏度抵抗。传统ntcr热敏电阻的...
【技术保护点】
1.一种温度传感器，其包括：
2.根据权利要求1所述的温度传感器，其中A和M包括相同的金属。
3.根据权利要求2所述的温度传感器，其中A和M包括钒或锡。
4.根据权利要求1所述的温度传感器，其中A和M包括不同的金属。
5.根据权利要求4所述的温度传感器，其中A包括银或铜。
6.根据权利要求4或5所述的温度传感器，其中M包括铬、铟、钒、铁、钴、镍或锰。
7.根据权利要求1所述的温度传感器，其中所述金属磷硫属化合物由下式表示：
8.根据权利要求1至7中任一项所述的温度传感器，其中所述硫属元...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种温度传感器，其包括：
2.根据权利要求1所述的温度传感器，其中a和m包括相同的金属。
3.根据权利要求2所述的温度传感器，其中a和m包括钒或锡。
4.根据权利要求1所述的温度传感器，其中a和m包括不同的金属。
5.根据权利要求4所述的温度传感器，其中a包括银或铜。
6.根据权利要求4或5所述的温度传感器，其中m包括铬、铟、钒、铁、钴、镍或锰。
7.根据权利要求1所述的温度传感器，其中所述金属磷硫属化合物由下式表示：
8.根据权利要求1至7中任一项所述的温度传感器，其中所述硫属元素包括硫、硒或碲。
9.根据权利要求1所述的温度传感器，其中所述金属磷硫属化合物包括cuvp2s6、agvp2s6、v2p2s6、cuinp2s6或sn2p2s6。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的温度传感器，其中所述温度传感器为负温度系数热敏电阻。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的温度传感器，还包括设置在所述金属磷硫属化合物下方的碳...
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