【技术实现步骤摘要】
本技术涉及二极管，特别涉及一种瞬态电压抑制二极管和电路元件。
技术介绍
1、tvs(transient voltage suppressor，瞬态电压抑制二极管)是一种具有双向稳压特性和双向负阻特性的过压保护器件，瞬态电压抑制二极管总体包括封装框架、设于封装框架内的单一芯片(具有瞬态电压保护的功能性结构)、以及电路连接件组成，瞬态电压抑制二极管在常态(不受损的工作状态)下处于高阻状态，根据该特性瞬态电压抑制二极管被当做一种电路保护元件，用于吸收电路中的浪涌脉冲电压。
2、当浪涌脉冲电压经过瞬态电压抑制二极管时，存在瞬态电压抑制二极管被击穿的情况，在此情况下，被瞬态电压击穿的芯片转变为低阻状态，当电路中出现二次浪涌时，此时的瞬态电压抑制二极管失效不再具备保护电路的功能，导致电路中的其它元器件被击穿从而失效。
技术实现思路
1、本技术的主要目的是提出一种瞬态电压抑制二极管，旨在提高瞬态电压抑制二极管保护电路的抗浪涌能力。
2、为实现上述目的，所述瞬态电压抑制二极管包括：
3、封本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述瞬态电压抑制二极管包括：
2.如权利要求1所述的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述封装框架(10)包括至少两个封装边框(101)，至少两个所述封装边框(101)均并列串联设置，每一所述封装边框(101)围合形成一所述安装空间，每一所述芯片(20)设于一所述安装空间内。
3.如权利要求2所述的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，每一所述芯片(20)的芯片焊接面(20a)均显露于一所述安装空间。
4.如权利要求1-3任一项所述的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述封装框架(10)设有两个所述安装...
【技术特征摘要】
1.一种瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述瞬态电压抑制二极管包括：
2.如权利要求1所述的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述封装框架(10)包括至少两个封装边框(101)，至少两个所述封装边框(101)均并列串联设置，每一所述封装边框(101)围合形成一所述安装空间，每一所述芯片(20)设于一所述安装空间内。
3.如权利要求2所述的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，每一所述芯片(20)的芯片焊接面(20a)均显露于一所述安装空间。
4.如权利要求1-3任一项所述的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述封装框架(10)设有两个所述安装空间，每一所述安装空间设有一所述芯片(20)；两个所述芯片(20)通过所述串联熔断丝(30)串联连接。
5.如权利要求4所述的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，两个所述芯片(20)之间设有一个所述串联熔断丝(30)，以使两个...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄兴宇，任书冉，张威龙，
申请(专利权)人：深圳市金开盛电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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