【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，尤其涉及一种研磨用保持环以及研磨晶圆的方法。
技术介绍
1、化学机械研磨亦称为化学机械抛光，其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，是半导体加工技术中一种可以实现表面全局平坦化的技术。
2、化学机械研磨技术综合了化学研磨和机械研磨的优势。单纯的化学研磨，表面精度较高，损伤低，完整性好，不容易出现表面/亚表面损伤，但是研磨速率较慢，材料去除效率较低，不能修正表面型面精度，研磨一致性比较差；单纯的机械研磨，研磨一致性好，表面平整度高，研磨效率高，但是容易出现表面层/亚表面层损伤，表面粗糙度值比较低。化学机械研磨吸收了两者各自的优点，可以在保证材料去除效率的同时，获得较完美的表面，得到的平整度比单纯使用这两种研磨要高出1-2个数量级，并且可以实现纳米级到原子级的表面粗糙度。
3、由上叙述可知，研磨工艺是采用物理和化学的方法来实现表面全局平坦化，因此，如何在全局范围内获得更为平坦化的表面，一直是现有技术需要解决的问题。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种研磨用保持环，其特征在于，环绕并紧固待研磨晶圆设置，所述保持环采用耐磨材料，且在一侧或两侧的表面呈现周期性起伏状，起伏的周期与所述待研磨晶圆的晶相的分布周期一致。
2.根据权利要求1所述的研磨用保持环，其特征在于，所述待研磨晶圆为(100)晶相，所述保持环以90°圆心角为起伏周期，且最低点与晶圆的定位标记对齐。
3.根据权利要求1所述的研磨用保持环，其特征在于，所述耐磨材料为工程塑料，选自于聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚酰亚胺、以及聚对苯二甲酸中的一种。
4.根据权利要求1所述的研磨用保持环，其特征在于，所述研磨为化学机械抛光。p>
5.一种研...
【技术特征摘要】
1.一种研磨用保持环，其特征在于，环绕并紧固待研磨晶圆设置，所述保持环采用耐磨材料，且在一侧或两侧的表面呈现周期性起伏状，起伏的周期与所述待研磨晶圆的晶相的分布周期一致。
2.根据权利要求1所述的研磨用保持环，其特征在于，所述待研磨晶圆为(100)晶相，所述保持环以90°圆心角为起伏周期，且最低点与晶圆的定位标记对齐。
3.根据权利要求1所述的研磨用保持环，其特征在于，所述耐磨材料为工程塑料，选自于聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚酰亚胺、以及聚对苯二甲酸中的一种。
4.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘浦锋，陈猛，
申请(专利权)人：上海超硅半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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