极低矫顽场、大自发极化值和高居里温度的室温铁电材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种极低矫顽场、大自发极化值和高居里温度的室温铁电材料及其制备方法和应用，是一种零维有机无机杂化钙钛矿晶体材料，并具有以下化学式（C2H8N）4PbBr6，具有2.3μC/cm<supgt;2</supgt;的自发极化值和0.11kV/cm的矫顽场，且居里温度大于400K，在低损耗非易失性存储器、传感器、电容器、光学调制器、电磁无损检测和电池技术中有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电材料，尤其涉及一种新的具有极低矫顽场和高居里温度的室温铁电材料的生长方法和应用。

技术介绍

1、铁电材料具有低能耗的非易失性存储潜力，越来越多地被用于各种应用，如铁电随机存取存储器、逻辑内存，使用铁电场效应晶体管（fefets）和负电容场效应晶体管等设备。然而，一个关键挑战在于大多数当前的铁电器件需要高工作电压（>1v），限制了它们与低功耗操作的兼容性。解决这个问题将代表一个重大进步，并可能为铁电材料在超越传统cmos技术的下一代设备中的集成铺平道路，以继续摩尔定律。然而，大多数铁电材料的矫顽场大于1kv/cm，许多无机铁电材料的矫顽场约为10kv/cm，这增加了极化反转的难度。少数矫顽场小于1kv/cm的铁电材料通常具有较低的居里温度。例如，磷酸二氢钾（kdp）的矫顽场仅为0.1kv/cm，居里温度为123k，使其不适用于室温下的器件应用。类似地，罗谢尔盐的矫顽场仅为0.2kv/cm，但其居里温度仅为297k，而tgs的矫顽场为0.9kv/cm，居里温度为323k。ia2ma2pb3br10的矫顽场为0.8kv/cm，但居里温度仅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种极低矫顽场、大自发极化值和高居里温度的室温铁电材料，其特征在于：是零维有机无机杂化钙钛矿晶体材料，并具有以下化学式（C2H8N）4PbBr6。

2.根据权利要求1所述极低矫顽场、大自发极化值和高居里温度的室温铁电材料，其特征在于：所述室温铁电材料的自发极化值为2.3±0.5μC/cm2，矫顽场为0.11±0.02kV/cm，铁电居里温度高于400K。

3.一种权利要求1或2所述极低矫顽场、大自发极化值和高居里温度的室温铁电材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

4.根据权利要求3所述极低矫顽场、大自发极化值和高居里温度的室温铁电材料的制备方法...

【技术特征摘要】

1.一种极低矫顽场、大自发极化值和高居里温度的室温铁电材料，其特征在于：是零维有机无机杂化钙钛矿晶体材料，并具有以下化学式（c2h8n）4pbbr6。

2.根据权利要求1所述极低矫顽场、大自发极化值和高居里温度的室温铁电材料，其特征在于：所述室温铁电材料的自发极化值为2.3±0.5μc/cm2，矫顽场为0.11±0.02kv/cm，铁电居里温度高于400k。

3.一种权利要求1或2所述极低矫顽场、大自发极化值和高居里温度的室温铁电材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

4.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：高凯歌，骆克奇，张洋，陆群，
申请(专利权)人：扬州大学，
类型：发明
国别省市：