脑测量装置制造方法及图纸

脑测量装置(M1)包括脑磁计模块和MRI模块，脑磁计模块具有：单元(2)；出射泵浦光的泵浦激光器(4)；将探测光向单元(2)内的与泵浦光相交的灵敏度区域出射的探测激光器(5)；检测通过了灵敏度区域的探测光的偏光面角度的光传感器组(8)；施加偏置磁场的偏置磁场线圈(11)；和修正偏置磁场的梯度的偏置磁场梯度修正线圈(12、13)，MRI模块具有：用于发送规定的频率的RF脉冲的发送线圈(121)；和检测通过RF脉冲的发送而产生的核磁共振信号的接收线圈(122)，施加静磁场的线圈和施加倾斜磁场的线圈的至少一方由与偏置磁场线圈(11)或偏置磁场梯度修正线圈(12、13)相同的线圈构成。

【技术实现步骤摘要】

实施方式的一个方面涉及脑测量装置。

技术介绍

1、已知有能够测量微弱的外部磁场的光激发磁传感器(例如参照专利文献1和专利文献2)。在光激发磁传感器中，利用泵浦光激发单元(cell)内的碱金属原子，利用光传感器测量以与泵浦光相交的方式向单元照射的探测光，基于光传感器的输出来检测外部磁场的强度。

2、专利文献1：美国专利公开2022/0091200号公报

3、专利文献2：美国专利第10,782,368号

技术实现思路

1、本申请的专利技术人们研究探讨将上述那样的现有的光激发磁传感器与mri(magnetic resonance imaging(磁共振成像))装置融合而能够进行脑磁场的测量和脑形态图像的获取的装置。在想要实现将光激发磁传感器与mri装置融合的装置的情况下，希望使装置小型化。

2、因此，实施方式的一个方面是鉴于上述技术问题而完成的，以提供一种通过小型化的结构实现脑磁场的测量和脑形态图像的取得的脑测量装置为技术问题。

3、实施方式的第一方面的脑测量装置，包本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种脑测量装置，其特征在于：

2.如权利要求1所述的脑测量装置，其特征在于：

3.如权利要求1或2所述的脑测量装置，其特征在于：

4.如权利要求1～3中任一项所述的脑测量装置，其特征在于：

5.如权利要求1～4中任一项所述的脑测量装置，其特征在于：

6.如权利要求4所述的脑测量装置，其特征在于：

7.如权利要求4所述的脑测量装置，其特征在于：

【技术特征摘要】

1.一种脑测量装置，其特征在于：

2.如权利要求1所述的脑测量装置，其特征在于：

3.如权利要求1或2所述的脑测量装置，其特征在于：

4.如权利要求1～3中任一项所述的脑测量...

【专利技术属性】
技术研发人员：笈田武范，森谷隆广，齐藤右典，须山本比吕，伊藤阳介，上田博之，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：