一种基于磁性随机存取存储器的抗辐照关键电路设计方法技术

本发明专利技术公开了一种基于磁性随机存取存储器的抗辐照关键电路设计方法，针对写驱动电路、字线译码/驱动电路和列选电路中的基本组合逻辑单元，提出一种双模冗余（Double Module Redundancy，DMR）的抗辐照标准单元加固方法，并建立抗辐照标准单元库。围绕15个标准单元完成抗辐照单元库配置并绘制版图，同时仿真验证了数据准确性。相比传统三模冗余（Triple Module Redundancy，TMR）加固方案，在维持抗辐照性能前提下极大地降低功耗、版图面积和延迟时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路领域，尤其涉及一种基于磁性随机存取存储器的抗辐照关键电路设计方法。

技术介绍

1、随着电子技术的不断进步，集成电路被广泛应用于各种领域，包括高压、高温、有毒或腐蚀性气体等恶劣环境以及强辐射的特殊场景。在大多数恶劣条件下，合适的封装技术能够保障电子产品的正常运行。然而，面对辐射环境，集成电路易受到高能光子和粒子的影响，发生电离和碰撞现象，从而对封装的半导体器件造成不可逆的损伤。在这种情况下，封装和屏蔽往往是无效的，甚至可能由于封装材料中引发的二次反应，进一步加剧辐射损伤。因此，抗辐照技术已经成为集成电路可靠性研究的重点方向。随着航天和核工业的快速发展，特别是卫星产业的高速增长，对存储器的抗辐照设计提出了更高的要求。尽管抗辐射逻辑设计已经相对成熟，但针对存储器的抗辐射设计，尤其是围绕外围关键电路的优化，仍然是当前技术中的薄弱环节。存储器在抗辐照电子产品开发中面临多重挑战：一方面，传统的三模冗余加固方案虽然可以提升抗辐射能力，但其面积和功耗代价过高，难以满足先进工艺节点下对高效设计的需求；另一方面，高能粒子作用于集成电路中的半导体和绝缘体材本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于磁性随机存取存储器的抗辐照关键电路设计方法，其特征在于，对于包括写驱动电路、字线译码及驱动电路和列选电路在内的外围电路，针对其中的基本组合逻辑单元，提出双模冗余的标准组合逻辑单元抗辐照加固RH方法；对基本组合逻辑单元电路加固后，得到经过标准化设计的标准组合逻辑单元，围绕15个标准组合逻辑单元电路建立了抗辐照标准单元库，在外围电路设计中使用抗辐照标准单元库中的标准组合逻辑单元；

2.根据权利要求1所述的一种基于磁性随机存取存储器的抗辐照关键电路设计方法，其特征在于，在写驱动电路中，包括组合逻辑门电路和电平转换器，其中的组合逻辑单元全部采用抗辐照标准单元库；输入信号D...

【技术特征摘要】

1.一种基于磁性随机存取存储器的抗辐照关键电路设计方法，其特征在于，对于包括写驱动电路、字线译码及驱动电路和列选电路在内的外围电路，针对其中的基本组合逻辑单元，提出双模冗余的标准组合逻辑单元抗辐照加固rh方法；对基本组合逻辑单元电路加固后，得到经过标准化设计的标准组合逻辑单元，围绕15个标准组合逻辑单元电路建立了抗辐照标准单元库，在外围电路设计中使用抗辐照标准单元库中的标准组合逻辑单元；

2.根据权利要求1所述的一种基于磁性随机存取存储器的抗辐照关键电路设计方法，其特征在于，在写驱动电路中，包括组合逻辑门电路和电平转换器，其中的组合逻辑单元全部采用抗辐照标准单元库；输入信号din及其通过rh反相器得到的反相信号分别经rh或非门送入电平转换器，再连接到写列选电路的wbl和wsl；两个rh或非门的另一输入均为经过rh反相器的wten信号；wten信号为控制信号，通过wten产生不...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡浩，狄彦彤，刘孙辰星，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：