【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光学检测，具体涉及一种氧化镓晶体缺陷的表征方法及检测系统。
技术介绍
1、β-氧化镓，禁带宽度约为4.69ev，是一种极具前景的超宽禁带氧化物半导体材料，是未来深紫外光电子器件、高功率器件、高频通信器件等器件制造的关键材料之一，被称为第四代半导体。氧化镓晶体中的缺陷会极大地影响器件的性能。β-氧化镓中的晶体缺陷包括点缺陷，线缺陷，面缺陷和体缺陷，而这些缺陷还未被完全理解。因此发展β-氧化镓中晶体缺陷的表征方法尤为重要。
技术实现思路
1、本专利技术提出一种氧化镓晶体缺陷的表征方法及检测系统。目的是发展一种测量氧化镓衬底体缺陷的超快瞬态吸收光谱成像新方法，用于表征β-氧化镓晶体中的体缺陷，利用该方法测试了氧化镓中的体缺陷并进行缺陷成像，为提高氧化镓晶体内部缺陷的认识进而提高氧化镓器件性能提供指导思路。
2、本专利技术采用如下技术方案：一种氧化镓晶体缺陷的检测系统，包括：
3、光源模块，用于通过双光子激发将价带电子和缺陷态电子激发至导带，使得价带和带隙内部...
【技术保护点】
1.一种氧化镓晶体缺陷的检测系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种氧化镓晶体缺陷的检测系统，其特征在于，所述光源模块包括依次连接的飞秒激光器、光参量放大器；所述飞秒激光器发出的种子光经反射发送至泵浦探测时间分辨模块中的延迟线；所述光参量放大器发出泵浦光至泵浦探测时间分辨模块中的斩波器。
3.根据权利要求1所述的一种氧化镓晶体缺陷的检测系统，其特征在于，所述泵浦探测时间分辨模块包括延迟线、YAG晶体、斩波器；
4.根据权利要求1所述的一种氧化镓晶体缺陷的检测系统，其特征在于，所述显微成像模块，包括在泵浦探测时间分辨模块...
【技术特征摘要】
1.一种氧化镓晶体缺陷的检测系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种氧化镓晶体缺陷的检测系统，其特征在于，所述光源模块包括依次连接的飞秒激光器、光参量放大器；所述飞秒激光器发出的种子光经反射发送至泵浦探测时间分辨模块中的延迟线；所述光参量放大器发出泵浦光至泵浦探测时间分辨模块中的斩波器。
3.根据权利要求1所述的一种氧化镓晶体缺陷的检测系统，其特征在于，所述泵浦探测时间分辨模块包括延迟线、yag晶体、斩波器；
4.根据权利要求1所述的一种氧化镓晶体缺陷的检测系统，其特征在于，所述显微成像模块，包括在泵浦探测时间分辨模块的输出光路上依次设置的扫描振镜、倒...
【专利技术属性】
技术研发人员：田文明，赵胜利，孙逢柯，冷静，刘俊学，倪文君，
申请(专利权)人：中国科学院大连化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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