一种电解钴用高纯硫酸钴电解液的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种电解钴用高纯硫酸钴电解液的制备方法，属于电解液技术领域。本发明专利技术公开的电解钴用高纯硫酸钴电解液的制备方法，具体如下：(1)将废旧三元锂电池进行粉碎，获得电池粉；(2)电池粉中加入水和硫酸得到溶解液；(3)然后在溶解液中加入还原剂，过滤，滤液中加入高锰酸钾和氯酸钠，过滤后获得滤液a；(4)使用离子交换树脂对滤液a中的杂质进行吸附，经过吸附后的溶液即为高纯硫酸钴电解液。以废三元废旧电池为原料，经过粉碎、溶解、还原、氧化沉淀以及使用离子交换树脂除杂，得到高纯的的硫酸钴电解液。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电解液，涉及一种电解钴用高纯硫酸钴电解液的制备方法。

技术介绍

1、高纯金属在集成电路领域的重要材料地位举足轻重。尤其，我国对于纯度5n以上的高纯钴材料的需求迫切，集成电路用高纯钴靶材是关键的芯片用接触层材料，基于自对准应变硅技术的硅化钴栅极可提高沟道内载流子迁移率，降低器件阻抗与功耗，提升驱动电流、频率响应和操作速度，是90nm以上特征尺寸的大规模集成电路中的关键材料。随着半导体技术的发展，深纳米集成电路制备用高纯钴靶材对钴原材料的纯度提出了更加严格的要求，特别是大规模集成电路中危害最大的关键杂质ni、fe、cu等，国内外集成电路行业对上述杂质元素的限量已低至ppm以下。因此高纯钴的制备难点主要为攻克关键杂质ni、fe、cu等元素的除杂技术。行业内，高纯钴的制备方法主要包括钴溶液的制备、净化、电解等工序。其中溶液净化主要用于除去电化学工艺难以分离的金属杂质，例如fe、ni、cu等。然而，由于这些杂质在极低浓度下与钴的析出电位极其相近，因此采用电解法提纯的效果较差，所制备的电解液中ni和fe的含量均大于0.5mg/l，实际应用中此类电解液难以本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电解钴用高纯硫酸钴电解液的制备方法，其特征在于，所述电解钴用高纯硫酸钴电解液的制备方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种电解钴用高纯硫酸钴电解液的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的电池粉、水和硫酸之间的质量比为3-4:5-10:3-5，搅拌的时间和温度分别为1-1.5h、60-70℃。

3.根据权利要求1所述的一种电解钴用高纯硫酸钴电解液的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中还原剂在溶解液中的添加量为20-30wt％，其中还原剂为亚硫酸钠，所述加入还原剂混合的时间和温度分别为2-3h、60-70℃。

4.根据权利要求1所述的一...

【技术特征摘要】

1.一种电解钴用高纯硫酸钴电解液的制备方法，其特征在于，所述电解钴用高纯硫酸钴电解液的制备方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种电解钴用高纯硫酸钴电解液的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的电池粉、水和硫酸之间的质量比为3-4:5-10:3-5，搅拌的时间和温度分别为1-1.5h、60-70℃。

3.根据权利要求1所述的一种电解钴用高纯硫酸钴电解液的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中还原剂在溶解液中的添加量为20-30wt％，其中还原剂为亚硫酸钠，所述加入还原剂混合的时间和温度分别为2-3h、60-70℃。

4.根据权利要求1所述的一种电解钴用高纯硫酸钴电解液的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中高锰酸钾和氯酸钠在滤液中的加入量分别为8-10wt％、5-10wt％，所述加入高锰酸钾混合的时间为1.5h，所述升温是指升温至80℃，所述加入氯酸钠搅拌的时间为1h。

5.根据权利要求1所述的一种电解钴用高纯硫酸钴电解液的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中预处理的离子交换树脂的具体步骤为...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹刚，刘永杰，
申请(专利权)人：科立鑫阳江新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：