【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域,尤其涉及一种基于存储块的存储库交织模式存储器。
技术介绍
1、sdram(synchronous dynamic randomaccess memory,同步动态随机存取存储器)是目前常用的存储器,其采用存储库交织(bank-interleaved)模式进行数据读写,该模式带来了更好的无缝连续突发概率,从而保持最大可实现的数据速率。它是实现高带宽操作的最有效方法之一。但是,这种模式会消耗大量的电能。例如,x16的sdram需要一次打开16k(16000)个sa(sense amplifier,感测放大器),另外需要激活多个存储库,并且一旦激活,就必须保持wl(wordline,字线)打开,以保持这些sa的激活。由于存储库交织模式的大电流,从ddr3(第3代双倍数据率同步动态随机存取存储器)开始,jedec(joint electrondevice engineering council,固态技术协会)引入了tfaw(four active window,四活动窗口),以将连续激活存储库的数量限制为4,即,在以
...【技术保护点】
1.一种基于存储块的存储库交织模式存储器,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的基于存储块的存储库交织模式存储器,其特征在于,
3.如权利要求1所述的基于存储块的存储库交织模式存储器,其特征在于,
【技术特征摘要】
1.一种基于存储块的存储库交织模式存储器,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的基于存储块的存储...
【专利技术属性】
技术研发人员:砂永登志男,斯科特·C·刘易斯,林仲汉,吴瑞仁,杨子澔,
申请(专利权)人:北京时代全芯存储技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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