基于存储块的存储库交织模式存储器制造技术

技术编号:44550004 阅读:10 留言:0更新日期:2025-03-11 14:13
本发明专利技术提供一种基于存储块的存储库交织模式存储器,属于集成电路领域。本发明专利技术的存储器包括:多个沿竖直方向排列的存储库组,在存储库组之间设置有水平间隔区,在水平间隔区中设置有沿水平方向排列的多个数据输入输出接口,在存储库组的水平方向的中部设置有竖直间隔区,在竖直间隔区中设置有沿竖直方向延伸的地址总线;存储库组包括多个沿竖直方向排列的存储库,每个存储库包括:沿水平方向排列的多个存储块组,设置在竖直间隔区中的预解码器,预解码器通过沿水平方向延伸的预解码器线与多个存储块组电连接,预解码器线与地址总线电连接。采用本发明专利技术的存储器及其数据读取方法,可以获得更快的数据读写速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域,尤其涉及一种基于存储块的存储库交织模式存储器


技术介绍

1、sdram(synchronous dynamic randomaccess memory,同步动态随机存取存储器)是目前常用的存储器,其采用存储库交织(bank-interleaved)模式进行数据读写,该模式带来了更好的无缝连续突发概率,从而保持最大可实现的数据速率。它是实现高带宽操作的最有效方法之一。但是,这种模式会消耗大量的电能。例如,x16的sdram需要一次打开16k(16000)个sa(sense amplifier,感测放大器),另外需要激活多个存储库,并且一旦激活,就必须保持wl(wordline,字线)打开,以保持这些sa的激活。由于存储库交织模式的大电流,从ddr3(第3代双倍数据率同步动态随机存取存储器)开始,jedec(joint electrondevice engineering council,固态技术协会)引入了tfaw(four active window,四活动窗口),以将连续激活存储库的数量限制为4,即,在以最小的trrd(ro本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于存储块的存储库交织模式存储器,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的基于存储块的存储库交织模式存储器,其特征在于,

3.如权利要求1所述的基于存储块的存储库交织模式存储器,其特征在于,

【技术特征摘要】

1.一种基于存储块的存储库交织模式存储器,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的基于存储块的存储...

【专利技术属性】
技术研发人员:砂永登志男斯科特·C·刘易斯林仲汉吴瑞仁杨子澔
申请(专利权)人:北京时代全芯存储技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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