【技术实现步骤摘要】
本公开一般涉及静电放电(esd)保护或防止静电放电的领域。
技术介绍
1、集成电路的输入/输出包括esd保护电路。例如，对于集成电路的封装，在封装的每个引脚处的esd保护电路可以是这样的，使得其承受2kv hbm(即，根据hbm模型或人体模型)电压静电放电。然而，对于集成电路衬底或晶片，输入/输出的所谓esd保护电平通常较低，例如使得输入/输出承受200v hbm电压静电放电。
2、当集成电路封装的引脚彼此电耦合时(例如在引脚用于接收集成电路电源电压的情况下)，耦合到这些引脚的每个输入/输出的电路的esd保护阈值增加。为了保证这种增加达到封装的引脚所要求的esd保护电平，集成电路输入/输出的esd保护电路的尺寸可以被确定为使得它们中的每个都可以承受封装引脚所要求的静电电压放电电平。尽管该解决方案保证了足以用于封装引脚(甚至用于各自耦合到封装的单个引脚的集成电路输入/输出)的esd保护电平，但是集成电路输入/输出的esd保护电路的过大尺寸导致用于形成这些保护电路的显著的半导体占用表面积，从而无用地增加了集成电路所需的总半导体表
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【技术保护点】
1.一种静电放电ESD保护装置，包括：
2.根据权利要求1所述的ESD保护装置，其中所述半导体电子开关包括多个第二指状部并且所述二极管包括多个第一指状部，所述半导体电子开关的每个第二指状部沿所述第一方向与所述二极管的所述第一指状部中的一个第一指状部对准，从而一起形成指状部对，所述指状部对沿大体上垂直于所述第一方向的第二方向彼此对准。
3.根据权利要求2所述的ESD保护装置，包括至少一个电阻器，所述至少一个电阻器具有大体上平行于所述第一方向的较大尺寸。
4.根据权利要求1所述的ESD保护装置，其中所述半导体电子开关包括GGNMOS或G...
【技术特征摘要】
1.一种静电放电esd保护装置，包括：
2.根据权利要求1所述的esd保护装置，其中所述半导体电子开关包括多个第二指状部并且所述二极管包括多个第一指状部，所述半导体电子开关的每个第二指状部沿所述第一方向与所述二极管的所述第一指状部中的一个第一指状部对准，从而一起形成指状部对，所述指状部对沿大体上垂直于所述第一方向的第二方向彼此对准。
3.根据权利要求2所述的esd保护装置，包括至少一个电阻器，所述至少一个电阻器具有大体上平行于所述第一方向的较大尺寸。
4.根据权利要求1所述的esd保护装置，其中所述半导体电子开关包括ggnmos或gcpmos或bicmos型晶体管或晶闸管。
5.根据权利要求1所述的esd保护装置，进一步包括：两个连接端子，耦合到所述半导体电子开关的电极和所述二极管的电极。
6.根据权利要求1所述的esd保护装置，其中所述半导体电子开关和所述二极管被配置为承受具有等于所述衬底的目标esd保护值的值的静电放电电压。
7.根据权利要求1所述的esd保护装置，其中所述二极管的所述至少一个第一指状部包括：横向侧，所述横向侧平行于所述第一方向并且与所述半导体电子开关的所述至少一个第二指状部的横向侧对准，其中所述至少一个第二指状部的所述横向侧平行于所述第一方向。
8.一种集成电路，包括：
9.根据权利要求8所述的集成电路，进一步包括：
10.根据权利要求8所述的集成电路，进一步包括包含多个引脚的封装，每个引脚电耦合到所述i/o端子中的至少一个i/o端子，至少一组引脚被电耦合在一起，被耦合到所述一组引脚或被耦合到所...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·特鲁西埃，J·布尔雅，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：发明
国别省市：
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