一种四节点翻转自恢复的锁存器制造技术

本发明专利技术提供了一种四节点翻转自恢复的锁存器，包括：输出软错误拦截模块、节点软错误拦截模块和传输门模块；输出软错误拦截模块包括8个输入端和1个输出端，8个输入端分别为N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7、N8，输出端为Q；输出软错误拦截模块用于在发生软错误导致多节点翻转时，保证输出值保持不变；节点软错误拦截模块包含8个结构相同的节点软错误拦截电路，每个节点软错误拦截电路包括8个输入端和1个输出端；8个节点软错误拦截电路的输入为Q和N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7、N8中的七位，输出为N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7、N8中的另一位；节点软错误拦截模块用于在发生软错误导致多节点翻转时，保证各自的输出值保持不变；传输门模块包括9个输入端和9个输出端，9个输入端均用于输入数据，输出端分别为Q和N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7、N8；传输门模块用于在数据传输模式时将数据传输给N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7、N8。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域，具体涉及一种四节点翻转自恢复的锁存器。

技术介绍

1、随着半导体制造技术的不断发展，特征尺寸晶体管已经按比例缩小，有利于更高的集成度、更短的延迟和更低的开销。然而，纳米级cmos技术对辐射引起的软错误的日益增加的敏感性带来了巨大的挑战。当高能粒子撞击存储电路中的敏感节点时，它们会引起单粒子翻转(seu)。在过去的微米级集成电路(ic)中，seu通常会导致锁存器中的单节点翻转(snu)。由于扰乱敏感节点所需的总收集电荷在纳米技术中显著减少，由于电荷共享效应，一个粒子撞击可能影响一个以上的相邻节点，导致多节点翻转(mnu)，包括双节点翻转(dnu)、三节点翻转(tnu)和四节点翻转(qnu)。电荷共享是衬底或阱中载流子扩散的结果，导致seu和脉冲猝灭效应的复杂性。随着tnu和qnu的比例持续上升，需要针对mnu的加固技术来增强先进集成电路系统的可靠性。

2、为了减轻软错误的影响，抗辐射设计(rhbd)锁存器受到了广泛关注。这些现有的加固锁存器设计可以分为三种类型:mnu-部分容忍、mnu-完全容忍、和mnu-自恢复锁存器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种四节点翻转自恢复的锁存器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的四节点翻转自恢复的锁存器，其特征在于，所述输出软错误拦截模块包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第一施密特反相器；

3.如权利要求2所述的四节点翻转自恢复的锁存器，其特征在于，所述节点软错误拦截电路包括：第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管和反相器；

4.如权利要求3所述的四节点翻转自恢复的锁...

【技术特征摘要】

1.一种四节点翻转自恢复的锁存器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的四节点翻转自恢复的锁存器，其特征在于，所述输出软错误拦截模块包括：第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第四nmos管、第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管和第一施密特反相器；

3.如权利要求2所述的四节点翻转自恢复的锁存器，其特征在于，所述节点软错误拦截电路包括：第五nmos管、第六nmos管、第七nmos管、第八nmos管、第五pmos管、第六pmos管、第七pmos管、第八pmos管和反相器；

4.如权利要求3所述的四节点翻转自恢复...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄轶，
申请(专利权)人：上海昆昂电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：