有机发光二极管结构制造技术

技术编号:4453790 阅读:195 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
有机发光二极管结构(1)设置有电路(31-36)以免于接通效应的影响,该电路(31-36)在接通之后的第一时间间隔中更多地限制流经该有机发光二极管结构(1)的电流,且在该第一时间间隔之后的第二时间间隔中更少地限制该电流。该电路(31-36)可以是无源的,诸如负温度系数电阻器(31)或可能具有续流二极管(40)的串联电感器(32),或者可以是有源的,诸如在第一时间间隔中不桥接且在第二时间间隔中桥接的可切换电阻器(33)或者响应于超过阈值的电流值的检测而桥接的可切换电阻器(34),或者诸如是响应于电流值的检测而受控的变换器(63)的一部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种有机发光二极管结构,且还涉及包括这种有机发 光二极管结构的装置。
技术介绍
有机发光装置是在开启时显示低阻抗连接的高电容性结构。例如,WO2005015640披露了一种将被高压驱动的有机发光装置。然而,当 开启时,高浪涌电流(inrush current)会毁坏该有机发光装置。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种包括接通效应保护的有机发光二极管结构。因此,该有机发光二极管结构通过包括一电路来定义,该电路在 接通之后的第一时间间隔中比在该第一时间间隔之后第二时间间隔中 更多地限制流经该有机发光二极管结构的电流。用于在接通之后的第一时间间隔中限制流经有机发光二极管结构 的电流的电路形成了接通效应的保护。由于有机发光二极管结构在开 启时是代表低阻抗连接的高电容性结构,具有太高值的浪涌电流可能 毁坏该有机发光二极管结构。通过限制浪涌电流,可以防止任何源于 浪涌电流的毁坏。由于主要在必要时提供保护且在不必要时简化,在 第一时间间隔中比在该第一时间间隔之后的第二时间间隔中更多地限 制流经有机发光二极管结构的电流的电路导致受保护的有机发光二极 管结构的可接受效率。换句话说,在第一时间间隔中,流经发光二极管结构的电流根据 第一限制而限制,且在第二时间间隔中,流经发光二极管结构的电流 根据第二限制而限制,该第二限制导致比第一限制小的影响或者根本 不导致限制和/或根本不导致影响。有机发光二极管结构的一实施例由包括无源电路的电路限定。通 常,无源电路不需要被控制且因此相对简单。有机发光二极管结构的一实施例由包括负温度系数电阻器的电路 限定。负温度系数电阻器在冷却时具有较大的电阻值且在被加热时具 有较小的电阻值。有机发光二极管结构的一实施例由包括串联电感器的电路限定。 串联电感器在电流开始流经该电感器时具有较大的阻抗值且在电流流 经该电感器一定时间且仅緩慢变化时具有较小的阻抗值。与负温度系 数电阻器相比,电感器不需要被复位且在理想情况不消耗任何功率。对于整流目的,续流二极管(freewheel diode )可以串联耦合到串联电 感器且并联到可切换DC电源,以避免当关闭DC电源时大的电压尖峰 (voltage spike )。在使用具有整流器电桥的可切换AC电源时,整流器 电桥可以负责整流。有机发光二极管结构的一实施例由作为层叠结构的有机发光二极 管结构限定,该层叠结构包括具有有机发光二极管的第一层和具有串 联电感器的第二层。串联电感器例如可以是挠性箔上的螺旋电感器。 通过在铁素体和/或镍铁高导磁合金的层之间夹置挠性箔可以获得较高 的阻抗值。有机发光二极管结构的一实施例由包括有源电路的电路限定。通 常,有源电路执行切换功能。与无源电路相比,有源电路可以更加精 确。有机发光二极管结构的一实施例由包括在第 一时间间隔中不桥接 且在第二时间间隔中桥接的可切换电阻器的电路限定。该桥接例如可 以通过由时序电路和阈值检测器控制的晶体管或晶闸管或三端双向可 控硅开关元件或继电器(relais)等实现。有机发光二极管结构的一实施例由包括响应于超过阈值的电流值 的检测而桥接的可切换电阻器的电路限定。该桥接例如可以通过由电 流检测器和阈值检测器控制的晶体管或晶闸管或三端双向可控硅开关 元件或继电器等实现。有机发光二极管结构的一实施例由响应于电流值的检测而形成受 控变换器一部分的电路限定。该变换器例如可以是由电流检测器控制 的DC-DC变换器或者是AC-DC变换器.一种见解为,有机发光二极管结构是在开启时代表低阻抗连接的 高电容性结构。基本思想可能是,流经有机发光二极管结构的电流将在开启之后受限,直到电流值被充分地减小。提供包括接通效应保护的有机发光二极管结构的问题得以解决。 有机发光二极管结构是具有进一步优势的,因为受保护的有机发光二 极管结构具有可接受的效率。本专利技术的这些和其他目的将从此后描述的实施例得以显现和予以 阐述。附图说明在附图中图1示出了耦合到电源的有机发光二极管, 图2示出了有机发光二极管的等效电路,图3示出了包括本专利技术的第一有机发光二极管结构的本专利技术的装置,图4示出了包括本专利技术的第二有机发光二极管结构的本专利技术的装 置,该第二有机发光二极管结构耦合到DC电源(图4-1)和AC电源 (图4-2 ),图5示出了对于亚临界、临界和超临界情形的串联共振RLC电路 的电5危,图6示出了峰值浪涌电流与串联电感器的关系, 图7示出了有机发光二极管和电感器的集成,图8示出了包括本专利技术的第三有机发光二极管结构的本专利技术的装置,图9示出了包括本专利技术的第四有机发光二极管结构的本专利技术的装置,图IO示出了包括本专利技术的第五有机发光二极管结构的本专利技术的装置,图ll示出了 DC驱动的有机发光二极管在短时间尺度上的浪涌电流,图12示出了 DC驱动的有机发光二极管在长时间尺度上的浪涌电流,图13示出了用于AC驱动的有机发光二极管的浪涌电流,以及 图14示出了用于不同有机发光二极管结构的电压和电流。具体实施例方式图1中示出的有机发光二极管IO耦合到电源u、i,用于经由在t-O 时间闭合的开关S产生电压u和电流i。图2中示出的有机发光二极管10的等效电路20包括并联耦合到 电容器23的二极管21。并联的二极管21和电容器23串联地耦合到电 阻器22。图3中示出的根据本专利技术的装置100包括根据本专利技术的第一有机 发光二极管结构1。该第一有机发光二极管结构1包括经由负温度系数 电阻器31耦合到图l所示的电源u、 i和开关S的等效电路20。图4中示出的根据本专利技术的装置100包括根据本专利技术的笫二有机 发光二极管结构1。该第二有机发光二极管结构1包括经由串联电感器 32耦合到图1所示的电源u、 i和开关S的等效电路20。在图4-l中, 电源是可切换DC电源,籍此,续流二极管40可能需要并联耦合到可 切换DC电源以用于整流目的,从而避免当关闭DC电源时大的电压尖 峰。在图4-2中,电源是具有整流器电桥41的可切换AC电源,在这 种情况下,整流器电桥41负责整流。整流器电桥例如包括至少一个二 极管且通常包括两个或更多的二极管,例如包括4个二极管。电源u、 i和/或开关S可以形成或不形成装置IOO的一部分,且可 以形成或不形成有机发光二极管结构1的一部分。实际上,在电源是 与例如整流器电桥组合的AC电源的情况下,至少该AC电源将一般不 形成装置和结构的一部分。负温度系数电阻器31和串联电感器32是 电路31-32的示例,这些电路31-32用于在接通之后的第一时间间隔中, 比在第一时间间隔之后的第二时间间隔中更多地限制流经有机发光二 极管结构1的电流。实际上,在有机发光二极管结构1中,两个或更 多的有机发光二极管可以串联/并联耦合,且可以使用单砖片(tile)或 多砖片。用于亚临界(较不极端)、临界和超临界(最极端)的串联共振 RLC电路的电流在图5中示出,它是单位为ns的时间的函数。单位为IVR的峰值浪涌电流在图6中示出,它是串联电感器的值 的函数(1/R * sqrt(L/C))。有机发光二极管10和电感器32的等效电路20的集成在图7中示出。在这种情况下,有机发光二极管结构1是包括具有有机发光二极管10 (有机发光二极管10的等效电路20)的第一层和具有串联本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管结构(1),该结构包括电路(31-36),该电路(31-36)在接通之后的第一时间间隔中比在该第一时间间隔之后的第二时间间隔中更多地限制流经该有机发光二极管结构(1)的电流。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:D亨特JHAM雅各布斯CWA弗詹斯E瓦芬斯米特
申请(专利权)人:皇家飞利浦电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]

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